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  20n65场效应管参数及代换?

  20n65场效应管参数:电流20A,耐压650V,N沟道场效应管。可用25n65代换。

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  20n65场效应管参数及代换?

  20n65场效应管参数:电流20A,耐压650V,N沟道场效应管。可用25n65代换。

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  tf10n65参数及代换

  tf10n65参数及代换 正向电压(VF):1.1V 芯片尺寸:46MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:55 150℃ 恢复时间(Trr):500ns 2. 关于M7与M1、M2、M3、M4、M5、M6的不同,在于反向重复峰值电压的不同,M7可以代替M1、M2、M3、M4、M5、M6。当然也可以用二极管1N4007、...

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  16n65参数及代换

  16n65应为场效应管拆御,主要参数,VDSS一600V,ID一12A,指御凳VGS(TH)一±30∨,唯旅功耗140w,可以用参数接近的18N60来代替。

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  10n65参数及代换?

  10n65场效应管的参数是20A/600W,可以用参数是25A/600w的场效应管28N76场效应管来代换,它俩的参数是相近的、功率性能一样可以代换。

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  12n65参数及代换?

  12n65参数:电流12A,电压650V。可用20n65代换。

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  cs12n65f代换

  cs12n65参数及代换,12n65参数,电流12A,电压650V,可用20n65代换。根据查询相关公开信息显示,CS12N65沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管采用士兰微电子的CellTM平面高压VDMOS工艺技术制造。

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  20n65能用CS5N60代替吗?

  20N65是20A650V,N沟道场效应管;CS5N60只是5A600V,参数相差太多,代换不了。三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号,也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一,具有...

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  mdf10n65b参数及代换

  10N65是10A/650V的N沟道 MOSFET 场效应丛明管渣绝,可以用20N60(20A/600V)代换。如郑姿

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  20n65能用CS5N60代替吗?

  20N65是20A650V,N沟道场效应管;CS5N60只是5A600V,参数相差太多,代换不了。

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