20n65坏了用什么代换
20n65能用CS5N60代替吗? -
20N65是20A650V，N沟道场效应管；CS5N60只是5A600V，参数相差太多，代换不了。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核好了吧！
这是一个功率型场效应管，20N65可以代换10N60，但10N60不能代20N65。
20N65是20A650V，N沟道场效应管；CS5N60只是5A600V，参数相差太多，代换不了。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核好了吧！
这是一个功率型场效应管，20N65可以代换10N60，但10N60不能代20N65。
带C3的比较特殊，不是普通mos,最好找一样的管子换，晚些上个参数表，现在不在手边。
不能够互换，前者是场效应管，参数，电流20安，耐压650V，后者是复合场效应管也就是所谓的IGBT管，参数，电流25安，耐压1200V，工作特性不一样。
IKP20N65H5、 IKP30N65F5、IKP30N65H5国产替换是? -
这是650V的IGBT单管，台湾HIGHSEMI有封装替换的。HIGHSEMI封装的IGBT也可以替换：IKP40N65F5、IKW40N65F5、IKP40N65H5、 IKW40N65H5、IKW40N65ES5 、IKW50N65EH5、 IKW50N65WR5 。台湾芯片，免费送样。
前者参数20安耐压600V，后者电流20安耐压650V，后者可以替代前者。
有个三极管上面写着20N65C3和GAR648,代表什么意思? -
20A 650V的场效应管，
20N65是N沟道场效应管（MOS管），650V20A，引脚向下，字面向自己，从左到右依次是G、D、S。用指针式万用表测量很方便，电阻×10k档，D、S之间有一个保护二极管，正向导通，反向截止，红表笔接“E”，黑表笔触碰“G”（给个触发电压），再测量D、E正反都导通；黑表笔接“E”，红表笔触碰“G”到此结束了？。
20N65-ASEMI高压MOS管怎么测量它的好坏? -
测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。其次，逐个测试各个引脚的电压并记录下来，如根据官方给出的值进行参考。如果引脚的电压接近或与给出的值不符，..
漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极管正向电压（VSD）：1.4V 输入电容（Ciss）：3520pF 二极管反向恢复时间（trr）：530nS 20N65封装规格：封装：TO-220 等我继续说。