20n65烧的原因
20N65-ASEMI高压MOS管怎么测量它的好坏? -
测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。其次，逐个测试各个引脚的电压并记录下来，如根据官方给出的值进行参考。如果引脚的电压接近或与给出的值不符，..
20N65是N沟道场效应管（MOS管），650V20A，引脚向下，字面向自己，从左到右依次是G、D、S。用指针式万用表测量很方便，电阻×10k档，D、S之间有一个保护二极管，正向导通，反向截止，红表笔接“E”，黑表笔触碰“G”（给个触发电压），再测量D、E正反都导通；黑表笔接“E”，红表笔触碰“G”好了吧！
测量20N65-ASEMI高压MOS管的好坏，需要使用万用表或测试仪器进行以下测试：首先，设置万用表或测试仪器的参数，将红表笔连接20N65-ASEMI高压MOS管的引脚并将黑表笔连接到MOS管的电源接地处。其次，逐个测试各个引脚的电压并记录下来，如根据官方给出的值进行参考。如果引脚的电压接近或与给出的值不符，..
20N65是N沟道场效应管（MOS管），650V20A，引脚向下，字面向自己，从左到右依次是G、D、S。用指针式万用表测量很方便，电阻×10k档，D、S之间有一个保护二极管，正向导通，反向截止，红表笔接“E”，黑表笔触碰“G”（给个触发电压），再测量D、E正反都导通；黑表笔接“E”，红表笔触碰“G”好了吧！
20A 650V的场效应管，
带C3的比较特殊，不是普通mos,最好找一样的管子换，晚些上个参数表，现在不在手边。
20n65能用CS5N60代替吗? -
20N65是20A650V，N沟道场效应管；CS5N60只是5A600V，参数相差太多，代换不了。三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管、晶体三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的好了吧！
型号：20N65 漏极-源极电压（VDS）：650V 栅源电压（VGS）：30V 漏极电流（ID）：20A 功耗（PD）：239W 储存温度（Tstg）：55 to 150℃ 静态漏源导通电阻（RDS(ON)）：0.42Ω 二极管正向电压（VSD）：1.4V 输入电容（Ciss）：3520pF 二极管反向恢复时间（trr）：530nS 20N65封装规格：封等我继续说。
三极管TSCB1J20N65怎么样判断好坏? -
零偏测试：测量三极管的饱和电流（Ic）和漏电流（Ie）以确定它是否已被损坏或受损。电压降测试：测量三极管的电压降（Vce）以确定它是否还能正常工作。动态电阻测试：测量三极管的动态电阻（hFE）以确定它是否能正常传递电流。如果您对测试三极管的方法不熟悉，建议您寻求专业人员的帮助。
在充电器里可以代用，主要参数是一样的。第一张图是20j65
请问师傅们:电瓶车充电器用的CS20N65,可以用电磁炉上H25R1203代替吗...
不能够互换，前者是场效应管，参数，电流20安，耐压650V，后者是复合场效应管也就是所谓的IGBT管，参数，电流25安，耐压1200V，工作特性不一样。
是的，ASE20N65SE-ASEMI场效应管中的Vds是指场效应管的漏极-源极电压，即在场效应管中两个极间的电压差，通常用伏特（V）作为单位。Vds是场效应管的一个重要参数，它决定了场效应管的工作状态和性能特征，例如开启状态、截止状态、漏电流等。因此，在选择和使用场效应管时，需要根据具体的应用要求说完了。