当前位置 > 耗尽型mos管符号怎么读耗尽型mos管符号怎么读啊

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  MOS管的参数怎么读懂

  漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅...

  2024-08-15 网络 更多内容 533 ℃ 660
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  MOS管的参数怎么读懂

  漏极附近耗尽层的雪崩击穿 (2)漏源极间的穿通击穿 ·有些MOS管中,其沟道长度较短,不断增加VDS会使漏区的耗尽层一直扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的多数载流子,将直接受耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID 4. 栅源击穿电压BVGS ·在增加栅...

  2024-08-15 网络 更多内容 717 ℃ 207
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  怎么区分增强型还是耗尽型MOS管

  最关键的区别在于耗尽型在G端不加电压都存在导电沟道,而增强型只有在开启后,才出现导电沟道。 3、控制方法不同。(1)、耗尽型UGS可以用正、零、负电压控制导通。(2)、增强型必须使得UGS>UGS(th)才行,一般的增强型NMOS,都是正电压控制的。扩展资料: mos管的工作原理:...

  2024-08-15 网络 更多内容 794 ℃ 550
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  这两个符号在MOS管中代表什么数据啊?

  分别代表漏源电压跟栅源电压。因为在mos管中,有3个极:D代表漏极,G代表栅极,S代表源极。

  2024-08-15 网络 更多内容 354 ℃ 926
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  mosfet 英文怎么读

  mosfet ['mɔsfet] abbr. metallic oxide semiconductor field effect transistor 【电子学】 金属氧化物半导体场效应晶体管

  2024-08-15 网络 更多内容 117 ℃ 796
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  这个贴片电阻怎么读

  910是91欧。前两位是有效值91,第三位是10的次方数,0就是10 的0次方,它等于1,所以阻值是91*10^0=91欧。

  2024-08-15 网络 更多内容 555 ℃ 122
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  薄膜电容用数字怎么读?

  左边的一位和中间的一位数字是数字,右边的一位数字是表示倍数,也就是10的多少次方,如果没有标明单位,一般默认是pF 如果是带小数点的数字,同时没有标明单位,则单位是uF 薄膜电容读法和色环电阻的读法类似,三位数字中前两位是系数,后一位是10的指数 104就是10乘以10的4次方,...

  2024-08-15 网络 更多内容 480 ℃ 678
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  电容决定式中各个物理量的希腊字母读法

  电容决定式中各个物理量的希腊字母读法如下 电容的决定式是:C=εS/4πkd,其中各个字母所代表的意义如下: ε表示:两极板之间的电介质,例如空气,金属板的电介率不同。 s表示:两极板正对,错动极板会导致正对减小也会使电容减小。 4∏k表示:常数,即有自己的数字,是定量。 d表示:两...

  2024-08-15 网络 更多内容 158 ℃ 751
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  晶振用什么字母表示

  晶振在电路板上用X表示。晶振一般指晶体振荡器。晶体振荡器是指从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片(简称为晶片),石英晶体谐振器,简称为石英晶体或晶体、晶振;而在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。其产品一般用金属外壳封装,也有用玻璃壳、陶瓷或...

  2024-08-15 网络 更多内容 656 ℃ 518
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  无源晶振封装上的字母是什么意思?

  这个是他们产品上的印字,不同的公司印字不一样,所以,具体的含义你得问公生产公司了。 根据数字这个晶振的频率应该是12MHz,其他的就不知道了。

  2024-08-15 网络 更多内容 801 ℃ 845