当前位置 > 耗尽型mos管输入电阻耗尽型mos管输入电阻是多少

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  若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 大于零,则其输入电阻会明显变小。

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  mos管电阻公式?

  MOSFET选用原则 一、反应时间T(nS): t n 分为: T(nS) 146 Td(n)(nS) 18 开启时间Tn 导通延迟时间Td(n)+上升时间Tr Tr(nS) 59 二、驱动功率P(mW): 2 2 P= WF=0.5CU F=0.5*U *F*Q/U=0.5*F*QU 驱动功率P(mW) 14.5 栅源电荷Q(nC) 29 三、热效应E(J): 相关: 通态电阻RDS(ON) 通态漏极...

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  MOS管 栅源极间的输入电阻

  MOS管全名金属氧化层半导体场效晶体管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor),氧化层位于沟道上方,通常为二氧化硅,厚度仅有数十至数百埃。二氧化硅是绝缘体,因此输入阻抗非常大。不管MOS管是什么类型,仅是沟道形状和掺杂不同,氧化层没有实质区别。正因为如此,MO...

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  若耗尽型N 沟道MOS 管的UGS 大于零,则其输入电阻会明显变小。...

  确实错的。 只要是MOSFET,其G与沟道之间有一层SiO2绝缘层,这层绝缘层是输入电阻很大的根本原因,而且这层绝缘层的厚度并不会因为UGS变化而变化,因此UGS大于0,MOSFET的输入电阻也不会有明显变化。

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  mos管漏源导通电阻

  MOSFET的导通电阻 Ron=δVds/δId|(Vds很小) = 1/[β(Vgs-VT)] ,实际上,线性区的漏电导正好等于导通电阻Ron的倒数; 如果是电流饱和区,则交流电阻近似为无穷大,直流电阻也是很大的。 对于实际的MOSFET,考虑到源、漏的串联电阻,则总的导通电阻应该是 Ron+Rs+Rd.

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  若耗尽型 N 沟道 MOS 管的 Ugs 大于零,则其输入电阻会明显变小

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  若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。

  正确A

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  若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。

  A

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  若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。( )

  是:A

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  若耗尽型N沟道MOS管的UGS大于零,则其输入电阻会明显变小。

  正确

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