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  硅芯片极限终结:怎样的替代品? (1)

  硅芯片的尺寸还有继续缩小的空间,至少目前的情况是这样的。 但是,硅材料的物理尺寸极限终有一天会到来,从而终结由摩尔定律所定义的微电子时代。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)于1965年提出来的,它指出:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数量大...

  2024-08-22 网络 更多内容 529 ℃ 507
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  硅芯片极限终结:怎样的替代品? (1)

  硅芯片的尺寸还有继续缩小的空间,至少目前的情况是这样的。 但是,硅材料的物理尺寸极限终有一天会到来,从而终结由摩尔定律所定义的微电子时代。摩尔定律是由英特尔创始人之一戈登·摩尔(Gordon Moore)于1965年提出来的,它指出:当价格不变时,集成电路上可容纳的晶体管数量大...

  2024-08-22 网络 更多内容 637 ℃ 274
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  芯片的极限温度是多少

  芯片的极限温度是多少 芯片的极限温度与额定电压和电流一样是绝对的吗?尽管集成电路制造商不能保证芯片在其额定温度范围之外也正常工作,但当超出其温度范围限制时,芯片不会突然停止工作。但是如果工程师需要在其他温度下使用芯片,那么他们必须确定这些芯片的工作情况,以及...

  2024-08-22 网络 更多内容 728 ℃ 528
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  硅的极限是几纳米

  只能说在不断进步,目前民用顶级的大概是4nm

  2024-08-22 网络 更多内容 214 ℃ 658
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  硅在室温下的禁带宽度

  1.12电子伏特。根据者带嫌查询相关资料信息显示,硅在室温下的行慎禁带宽度约为1.12电子伏特(eV)。禁带宽度又称带隙,是指固体中价带和导带之间的能量间隙。在半导体材料中,禁带宽度大小决定了这种材料的导电性能和光电性能首手。硅是一种典型的半导体材料,其禁带宽度大小...

  2024-08-22 网络 更多内容 985 ℃ 372
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  硅的电导率最高能到多少

  液体名称 温度 电导率甲 醇 18.0 4.4×107 到江大论坛网站查看回答详情

  2024-08-22 网络 更多内容 889 ℃ 493
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  高阻硅片阻值多少算绝缘

  高阻硅片阻值大于1千欧·厘米算绝缘。根据查询相关公开信息显示,高阻硅材料是上层硅和衬底硅的电阻率大于1千欧·厘米的绝缘体上硅材料,先进射频器件等要求高阻绝缘体上硅衬底和高阻晶圆,可以极大地改善无源元件的性能。

  2024-08-22 网络 更多内容 687 ℃ 344
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  硅片电阻率多少比较合适,过大或过小有什么坏处?

  单从硅片的使用来说,电阻率越大越好,因为这时硅片纯度较高(排除反型掺杂)。 从制造成本来说,硅片纯度越高,则工艺过程成本越高。 所以用硅片制造不同的器件,用相应电阻率的硅片即可。(过小会影响器件性能)

  2024-08-22 网络 更多内容 717 ℃ 147
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  硅的参数?

  硅(Silicon),是一种化学元素,化学符号是Si,旧称矽。原子序数14,相对原子质量28.0855,有无定形硅和晶体硅两种同素异形体,属于元素周期表上第三周期,IVA族的类金属元素。硅也是极为常见的一种元素,然而它极少以单质的形式在自然界出现,而是以复杂的硅酸盐或二氧化硅的形式,广泛...

  2024-08-22 网络 更多内容 630 ℃ 588
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  硅片电阻率多少比较合适,过大或过小有什

  1.一般硅片是P形硅片,标准是13Ω*cm 2.电阻率过大说明硅片掺杂偏少,或者硅片基体含有补偿性杂质,如磷、氧等施主元素偏多。前者导致开压Voc低,短路电流Isc高,转换效率Eta不好说;后者不仅开压低而且短路电流低,转换效率一定低。 3.电阻率过小说明硅片掺杂B偏多,或者硅片基体...

  2024-08-22 网络 更多内容 923 ℃ 940