当前位置 > 可控硅t810参数可控硅t810参数详解

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  可控硅to410的参数

  1、针数:3ReachComplianceCode:compliantFactoryLeadTime:43weeks2days 2、风险等级:5.13IsSamacsys:N其他特性:SENSITIVEGATE外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE

  2024-08-22 网络 更多内容 967 ℃ 469
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  3tt8f1可控硅参数?

  可控硅整流器件 参数||型号|极限参数|直流参数|管腿排列|外形| IT A|VDRM V|VRRM V|PGM W|PG(AV) W|VTM|IDRM|IRRM|VGT|IGT|IH|dv/dt V/μ... 5|7|5|KGA|TO92| 3CT08 3CT08E 3CT08F 3CT08G 3CT08H|0.8|300 400 500 600|300 400 500 600|0.1|0.01|1.7|0.8|10|300 400 500 600|10|30...

  2024-08-22 网络 更多内容 909 ℃ 770
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  jt812he可控硅参数?

  jt812he单向可控硅 【性能 参数】,耐压 800V ,电流12A 。

  2024-08-22 网络 更多内容 834 ℃ 615
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  to410可控硅参数?

  可控硅的主要参数1、 额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。2、 正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超...

  2024-08-22 网络 更多内容 430 ℃ 391
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  t4e8f可控硅参数?

  可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。 3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 4、 控制极触发电流Ig1...

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  可控硅T830800w的性能数据

  你好 T830  属于8A 800V 的三象限双向可控硅  30的意思是触发电流为30mA,请咨询请看规格书

  2024-08-22 网络 更多内容 753 ℃ 904
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  jt812he可控硅参数?

  jt812he单向可控硅 【性能 参数】,耐压 800V ,电流12A 。

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  mtk8183芯片资料

  联发科作为著名的IC设计厂商,在Chromebook市场上的布局初见成效,针对Chromebook产品推出的联发科MT8183芯片,采用的是八核CPU,包括四颗主频为2GHz的CortexA73大核,GPU采用的是ARM MaliG72,搭载LPDDR4X内存,该芯片还集成了独立AI处理器以满足应用程序的需求。目...

  2024-08-22 网络 更多内容 407 ℃ 678
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  可控硅t8c8f参数

  双向可控硅,8A800V,可与BT139互换。

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  jt88ma可控硅参数?

  现在的高频机基本都是用irf1010.80nf70多 如果要换必须全换 可控硅没有太大要求 必须单向可控硅给你几个选择to220有2n6508(600v25a) 2n6509(800v25a) 25tts08(800v25a) tyn812(800v12a) tyn612(600v12a) tyn825(800v25) s6025等等 to247。

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