当前位置 > t830可控硅参数t830可控硅参数详解
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3ft8c可控硅的参数
1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过谈消的50赫兹正弦半波电流粗雀的平均值。 2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。 3、反向阴断峰值电压VPR当岩侍早可控硅...
2024-08-22 网络 更多内容 775 ℃ 634 -
jt86ma可控硅参数
jt86ma可控硅参数为390mip。根据查询相关资料得知,jt86ma可控硅在正常工作条件下允许的mip值为390,低于390,PN结节缓慢,高于390,PN结节失效。
2024-08-22 网络 更多内容 444 ℃ 298 -
jt812he可控硅参数?
jt812he单向可控硅 【性能 参数】,耐压 800V ,电流12A 。
2024-08-22 网络 更多内容 327 ℃ 977 -
t830800w双向可控硅参数?
t830800w是三象限双向可控硅,其主要参数:输岀电流为8A、触发电流为30mA、最高工作电压为800Ⅴ。
2024-08-22 网络 更多内容 898 ℃ 325 -
可控硅T830800w的性能数据
你好 T830 属于8A 800V 的三象限双向可控硅 30的意思是触发电流为30mA,请咨询请看规格书
2024-08-22 网络 更多内容 770 ℃ 608 -
T830是可控硅还是三极管
可控硅测出的数字小很多最可能就是场效应管,这两个脚就是漏极和源极。....................................................把电路画一下,把电源、负载、功能说清楚,就有办法 ......................................................这图根本看不出这一部分起什么功能,我只能猜一下,供你参考:TL884很是一块微处理器,如果T830处...
2024-08-22 网络 更多内容 581 ℃ 764 -
可控硅t8c8f参数
双向可控硅,8A800V,可与BT139互换。
2024-08-22 网络 更多内容 782 ℃ 971 -
常用可控硅主要参数?
电流 1. 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 耐压 2. 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 触发电流 3. 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅...
2024-08-22 网络 更多内容 973 ℃ 178 -
t4e8f可控硅参数?
可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。可控硅承受的正向电压峰值,不能超过手册给出的这个参数值。 3、 反向阴断峰值电压VPR当可控硅加反向电压,处于反向关断状态时,可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。使用时,不能超过手册给出的这个参数值。 4、 控制极触发电流Ig1...
2024-08-22 网络 更多内容 603 ℃ 791 -
常用的可控硅参数说明?
电流 1. 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 耐压 2. 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 触发电流 3. 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅...
2024-08-22 网络 更多内容 687 ℃ 950
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