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  P型半导体的形成原理?

  要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧...

  2024-08-15 网络 更多内容 582 ℃ 575
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  P型半导体的形成原理

  要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧...

  2024-08-15 网络 更多内容 861 ℃ 856
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  P型半导体和N型半导体如何形成的?

  一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子...

  2024-08-15 网络 更多内容 456 ℃ 288
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  p型半导体的导电原理是什么

  下面,我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子...

  2024-08-15 网络 更多内容 729 ℃ 307
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  p型半导体的导电原理

  p型半导体的导电原理:半导体中有两种载流子,导带中的电子和价带中的空穴,如果某=一=类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型... 故P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成,掺入的杂质越多,电子或空穴的浓度就越高,导电性能就越强。

  2024-08-15 网络 更多内容 816 ℃ 662
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  p型半导体的导电原理?

  p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某=一=类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则... 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空...

  2024-08-15 网络 更多内容 995 ℃ 730
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  半导体基本原理

  N型半导体的导电特性:它是靠自由电子导电,掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体。多子:P型半导体中,多子为空穴。少子:P型半导体中,少子为电子。受主原子:杂...

  2024-08-15 网络 更多内容 446 ℃ 225
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  P型半导体是如何形成的?

  由于失去了电子而产生了一个正离子,因为这对于其它电子而言是个“空位”,所以通常把它叫做“空穴”,而这种材料被称为“P”型半导体。在这样的材料中传导主要是由带正电的空穴引起的,因而在这种情况下电子是“少数载流子”。 如果掺入的杂质是周期表第V族中的某种元素,例如...

  2024-08-15 网络 更多内容 308 ℃ 552
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  对p型半导体的工作原理不清楚

  n型半导体才用自由电子导电,p型半导体用的是空穴,不是自由电子。 自由电子是导带中的电子,可以自由移动。 而空穴靠的是价带中的电子,价带中的电子都是成键的,只能电子填补空穴后,这样置换着移动,不能自由移动,不是自由电子。 所以n型半导体的电子迁移率比p型的快

  2024-08-15 网络 更多内容 769 ℃ 799
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  s p 原子示意图

  如图

  2024-08-15 网络 更多内容 862 ℃ 955