当前位置 > p型半导体形成原理p型半导体形成原理分析

• 

  P型半导体的形成原理

  要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧...

  2024-07-17 网络 更多内容 882 ℃ 635
• 

  P型半导体的形成原理?

  要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧...

  2024-07-17 网络 更多内容 332 ℃ 444
• 

  P型半导体和N型半导体如何形成的?

  一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素,当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子...

  2024-07-17 网络 更多内容 688 ℃ 340
• 

  p型半导体的导电原理是什么

  下面,我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子...

  2024-07-17 网络 更多内容 252 ℃ 42
• 

  p型半导体的导电原理?

  p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某=一=类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则... 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空...

  2024-07-17 网络 更多内容 114 ℃ 904
• 

  p型半导体的导电原理

  p型半导体的导电原理:半导体中有两种载流子,导带中的电子和价带中的空穴,如果某=一=类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型... 故P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成,掺入的杂质越多,电子或空穴的浓度就越高,导电性能就越强。

  2024-07-17 网络 更多内容 279 ℃ 553
• 

  p型半导体的导电原理

  p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该... 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空...

  2024-07-17 网络 更多内容 480 ℃ 350
• 

  半导体基本原理

  N型半导体的导电特性:它是靠自由电子导电,掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能也就越强。P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体。多子:P型半导体中,多子为空穴。少子:P型半导体中,少子为电子。受主原子:杂...

  2024-07-17 网络 更多内容 590 ℃ 721
• 

  半导体模块的原理

  半导体激光器人通常也叫半导体模块。 其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂... 等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶...

  2024-07-17 网络 更多内容 658 ℃ 300
• 

  对p型半导体的工作原理不清楚

  n型半导体才用自由电子导电,p型半导体用的是空穴,不是自由电子。 自由电子是导带中的电子,可以自由移动。 而空穴靠的是价带中的电子,价带中的电子都是成键的,只能电子填补空穴后,这样置换着移动,不能自由移动,不是自由电子。 所以n型半导体的电子迁移率比p型的快

  2024-07-17 网络 更多内容 444 ℃ 14