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飞行时间二次离子质谱仪

2024-07-22 11:26:14 来源:网络

飞行时间二次离子质谱仪

TOF-SIMS(飞行时间二次离子质谱仪)工作原理 -
TOF-SIMS,即飞行时间二次离子质谱仪,其工作原理涉及一系列复杂的物理过程。首先,聚焦的一次离子束以稳定的方式轰击样品,这个过程中,一次离子可能遇到表面的背散射,虽然概率小,也可能穿透样品表面,经历弹性和非弹性碰撞。在穿透过程中,一次离子将部分能量传递给晶格原子,促使原子跃迁至表面并释放能量到此结束了?。
前沿突破与未来展望后电离技术如SNMS的引入,提升了SIMS的分析性能,而飞行时间二次离子质谱(TOF-SIMS)的出现,更是以高分辨率和超高灵敏度引领了技术的革新。未来,SIMS的发展方向将进一步提升质谱分辨率,探索多粒子探测,以及寻求更为精确的定量分析方法。深入探索的源泉想要深入了解SIMS的科学魅力,参是什么。

飞行时间二次离子质谱仪

海相单组分飞行时间二次离子质谱研究 -
飞行时间二次离子质谱分析的主要原理为:使用高能量的脉冲式镓(69Ga+)离子束轰击样品表面,一次离子(69Ga+)与样品表面相互作用,产生二次离子;然后将二次离子加速引入飞行时间质谱仪,质荷比不同的二次离子在飞行管内飞行需要时间不同,质量大者飞行慢而质量小者飞行快。这就使得二次离子能够按照到此结束了?。
1. 优异的掺杂剂和杂质检测灵敏度。可以检测到ppm或更低的浓度2. 深度剖析具有良好的检测限制和深度辨析率3. 小面积分析(10 µm 或更大)4. 检测包含H在内的元素及同位素5. 优良的动态范围(6 orders of magnitude)6. 在某些应用中可能用来做化学计量/组成成份等我继续说。
TOF-SIMS(飞行时间二次离子质谱仪)的主要用途 -
1. 掺杂剂与杂质的深度剖析2. 薄膜的成份及杂质测定(金属、电介质、锗化硅、III-V族、II-V族)3. 超薄薄膜、浅植入的超高深度辨析率剖析4. 硅材料整体分析,包含B, C, O,以及N5. 工艺工具(离子植入)的高精度分析,
1. 破坏性2. 无化学键联信息3. 只能分析元素4. 样品必须是固态以及真空兼容5. 要分析的元素必需是已知的,
二次离子质谱法 -
Cameca IMS-1280(HR)离子探针是国际新型的大型二次离子质谱仪。装备有氧和铯2个一次离子源,具有先进的离子透镜系统,高离子传输效率;采用大半径磁场与静电场分析器实现二次离子的双聚焦,分辨率最高达40000。配备有5个检测器系统(法拉第杯或电子倍增器)和1个CCD。Cameca NanoSIMS 50L型纳米离子探针等会说。
作者还将激光微区质谱技术( LAMMS) 与飞行时间二次离子质谱( TOFSIMS) 技术的优缺点作了初步对比,认为TOFSIMS/LAMMS 两种技术结合起来是煤的微区分析较好的选择。任德贻煤岩学和煤地球化学论文选辑无论是煤的成因还是加工利用特性研究,都迫切要求进行煤的微区成分结构测定。Kaufmann[1]总结了理想的微区分析等会说。
二次离子质谱仪sims那个品牌好 -
Hiden。根据查询大众点评可知,二次离子质谱仪sims Hiden品牌好。二次离子质谱(Secondary Ion Mass Spectrometry ,SIMS)是通过高能量的一次离子束轰击样品表面,使样品表面的原子或原子团吸收能量而从表面发生溅射产生二次粒子,这些带电粒子经过质量分析器后就可以得到关于样品表面信息的图谱。
质谱仪以离子源、质量分析器和离子检测器为核心。1、离子源是使试样分子在高真空条件下离子化的装置。电离后的分子因接受了过多的能量会进一步碎裂成较小质量的多种碎片离子和中性粒子。它们在加速电场作用下获取具有相同能量的平均动能而进入质量分析器。2、质量分析器是将同时进入其中的不同质量的离子,..