面试问mos管原理
面试问mos管原理 -
mos管由漏极、源极和栅极组成，还分为N沟和P沟两种mos管。首先我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极。对mos管而言，在栅极无电压情况下，源极与漏极之间是两个背对背二极管，而不会有电流通过，此时的mos管处于截止状态。栅极加电压时，当电压小于阈值VGS(th)时，栅极与基片P之间会因为电场的后面会介绍。
20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。Infineon笔试试题)21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。（仕兰微电子）22、画电流偏置的产生电路，并解释。（凹凸）23、史密斯特电路，求回差电压。（华为面试题）24、晶体振荡器，好像是给出振荡频等会说。
mos管由漏极、源极和栅极组成，还分为N沟和P沟两种mos管。首先我们将漏极接到电源正极，源极接到电源负极。对mos管而言，在栅极无电压情况下，源极与漏极之间是两个背对背二极管，而不会有电流通过，此时的mos管处于截止状态。栅极加电压时，当电压小于阈值VGS(th)时，栅极与基片P之间会因为电场的后面会介绍。
20、给出多个mos管组成的电路求5个点的电压。Infineon笔试试题)21、电压源、电流源是集成电路中经常用到的模块，请画出你知道的线路结构，简单描述其优缺点。（仕兰微电子）22、画电流偏置的产生电路，并解释。（凹凸）23、史密斯特电路，求回差电压。（华为面试题）24、晶体振荡器，好像是给出振荡频等会说。
这两种输出的原理和特性基本是类似的，区别在于一个是使用MOS管，其中的"漏"指的就是MOS管的漏极；另一个使用三极管，其中的"集"指的就是MOS三极管的集电极。这两者其实都是和推挽输出相对应的输出模式，由于使用MOS管的情况较多，很多时候就用"开漏输出"这个词代替了开漏输出和开集输出。介绍就先从开说完了。
和载流子有关，P管是空穴导电，N管电子导电，电子的迁移率大于空穴，同样的电场下，N管的电流大于P管，因此要增大P管的宽长比，使之对称，这样才能使得两者上升时间下降时间相等、高低电平的噪声容限一样、充电放电的时间相等27、用mos管搭出一个二输入与非门.(扬智电子笔试) 28、please draw the transistor level sch后面会介绍。
应聘,电气类 自动化类 笔试题目 -
(新太硬件面试) 79、给出单管DRAM的原理图(西电版《数字电子技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 -14b),问你有什么办法提高refresh time,总共有5个问题，记不起来了。降低温度，增大电容存储容量)(Infineon笔试) 80、Please draw schematic of a common SRAM cell with 6 transistors,point out which nodes到此结束了？。
6.A/D电路组成，工作原理如果公司做高频电子的，可能还要RF知识，调频，鉴频鉴相之类，不一一列举太底层的MOS管物理特性感觉一般不大会作为笔试面试题，因为全是微电子物理，公式推导太罗索，除非面试出题的是个老学究ic设计的话需要熟悉的软件： Cadence, Synopsys, Advant，UNIX当然也要大概会操还有呢？
东时招学员笔试一般都考什么? -
(新太硬件面试) 79、给单管DRAM原理图(西电版《数字电技术基础》作者杨颂华、冯毛官205页图9 -14b)问办提高refresh time总共5问题记起(降低温度增电容存储容量)(Infineon笔试) 80、Please draw schematic of a 中国mon SRAM cell with 6 transistors,point out w hich nodes can store data and which node 等我继续说。
这个……未免太高难度了，
电子类原件有哪些? -
电子元器件包括：电阻、电容、电感、电位器、电子管、散热器、机电元件、连接器、半导体分立器件、电声器件、激光器件、电子显示器件、光电器件、传感器、电源、开关、微特电机、电子变压器、继电器、印制电路板、集成电路、各类电路、压电、晶体、石英、陶瓷磁性材料、印刷电路用基材基板、电子功能工艺专用材料到此结束了？。
真正的EE应该去做电子、做电路、做通讯，做自己的专业知识可以充分应用到的工作，如果一年以后你从工厂出来，你觉得你还能看的懂差动电路，画的出各种MOS管的电性曲线吗？你还能做DFT的运算吗？我想大部分人的结果是心有余而力不足，因为这里的工作都太简单，你已经退化了，不管是专业知识，还是其它方面，在这里工作唯一是什么。