重掺杂

重掺杂

什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂 -
就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的，因为轻重掺杂的费米能级不一样，所以设计器件的时候有的时候把相同的半是什么。
就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。重掺杂的半导体中，掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一，而轻掺杂则可能会到十亿分之一的比例。掺杂之后的半导等我继续说。
试解释重掺杂半导体使禁带宽度变窄的原因。 -
这样，在重掺杂半导体中，由于以上能带结构的变化，形成了简并能带，便导致了禁带宽度的变窄。定量计算表明，掺磷的硅材料，当磷浓度为3×1018cm-3时。杂质带与导带已相当程度的重叠，当杂质浓度从1019cm-3增加到3×1020cm-3时，杂质带与导带重叠很多，以至难以分辨。
改变硅材料的导电率。根据查询中国产品质量认证官方网站数据显示。硅轻掺杂是改变硅材料导带和价带能级，调整硅材料的能带结构，经过重掺杂金属链接后调整硅材料的电导率和光学性质。使硅材料用于各种电子器件的制造。总之，硅重掺杂和轻掺杂是改变硅材料电子性质的两种关键技术。
半导体物理中的重掺杂的概念? -
掺杂是针对杂志半导体而言，就是在本征半导体中参入3价或5价元素，使其成为向价带提供空穴的受主杂质或向导带发送电子的施主杂质。重掺杂就是参入的杂志浓度比较大。
---由于不同材料的禁带宽度不同，所以由不同材料制成的发光二极管可发出不同波长的光。另外，有些材料由于组分和掺杂不同，例如，有的具有很复杂的能带结构，相应的还有间接跃迁辐射等，因此有各种各样的发光二极管。
什么晶体管发射区的重掺杂效应? -
总之，发射区重掺杂可引起带隙变窄，从而导致BJT的放大性能下降。（3）减弱BJT带隙变窄效应的技术——多晶硅发射极晶体管：在发射极金属电极的表面上覆盖一薄层掺杂多晶硅，可使得本征硅发射区表面的少数载流子寿命提高，从而能够明显地减弱因为高掺杂所带来发射结注射效率降低的影响，提高电流放大系数以及说完了。
因为阱电阻是低掺杂区，所以其两端要用重掺杂区作为阱接触，

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