设计存储器

设计存储器

...SRAM存储芯片可设计哪几种不同容量和字长的存储器?画出相应设计图并...
【答案】：解：可设计字长为8位，容量为128K的存储器：可设计字长为16位，容量为64K的存储器：可设计字长为32位，容量为32K的存储器，
一个四块的芯片，设计的一个32内存器，需要储存是非常多的。四个8K*8位的RAM芯片就能组成袭一个32K*8位，把8K的四个选通端分别连到74LS138的0到3号输出，数据线都连在一起，然后把4拿来连8K*8位的EPROM芯片选通。地址范围是：0000H到1FFFH，2000H到3FFFH，4000H到5FFFH，ROM的为6000H到7FF到此结束了？。
用32K*8位的EPROM芯片组成128K*16位的只读存储器,储存器的组成框图怎...
X*Y位，其中，X芯片的存储单元格数，Y每个存储单元存储数据的位数。所以，对于一片芯片来说。由X能知道需要多大的地址缓存才能够表示所有的地址，由Y能知道需要多大的数据缓存。首先是X，按照2进制，1024就是1K，也就是2的10次方，也就是1K。
（1）需要8片，因为16/2=8。（2）因为16K=2的14次方，所以需要14位地址，即A13～A0。（3）因为每个芯片都是2K×8位，而2k=2的11次方，所以加至各芯片的地址线是需要11位，即A10～A0。（4）产生片选信号的地址线时去掉加至各芯片的地址线的部分，即A13～A11。
【计算机组成原理】存储器设计问题 -
1.1 MAR原理图如图实现MAR写操作的开关波动序列为：由于我们在MAR的数据文本中写入的是“00”，因此在运行之初，MAR的输出信号为“00”。我们先将MAR的数据输入端的输入信号任意设置一个值，比如“AF”，即数据输入端的所有开关都置1。再将MAR读写控制端开关置1，此时，“AF”已经输入到MAR中地址说完了。
\x0d\x0a关键的来了：：：x0d\x0a将P2.5~P2.7接到74LS138（3-8译码器）的输入，将输出0接到2764的/CS端，将输出1，和输出2分别接到两块6264的/CS端，这样接输出1的6264地址就是2000~3FFF，接输出2的6264的地址就是4000~5FFF。x0d\x0a注意，所有的总线连接时，都是低位接低位希望你能满意。
存储器的结构 -
09.RDRAM(Rambus DRAM,高频动态随机存取存储器)Rambus公司独立设计完成的一种内存模式，速度一般可以达到500~530MB/s,是DRAM的10倍以上。但使用该内存后内存控制器需要作相当大的改变，因此它们一般应用于专业的图形加速适配卡或者电视游戏机的视频内存中。10.SDRAM(Synchronous DRAM,同步动态随机存取存储器)这是一种与是什么。
4Kx8位的RAM，表示地址线为12位，数据线为8位。现有的RAM芯片为1Kx4，这意味地址线为10位，数据线为4位。因此地址线需要扩展两位，数据线需要扩展1倍，因此需要2^3=8个1Kx4的RAM，两个1KRAM为一组用来扩展数据宽度，共四组，这四组的片选则由2-4译码器的输出4根线给出。输入2根线也就相当等我继续说。

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