有谁用过w25q128芯片
TM4C系列操作w25q128flash -
1.W25Q64 是华邦公司推出的大容量SPIFLASH 产品，W25Q64 的容量为64Mb，W25Q128的容量为128Mb。W25Q64 的擦写周期多达10W 次，具有20 年的数据保存期限，支持电压为2.7~3.6V。2.操作时序。#160; 根据手册说明，发送指令需要将CS拉低。指令发送完毕在将CS拉高。指令有可能是单字节希望你能满意。
W25Q128FV 有一WEL（Write Enable Latch）标志位，擦除、写入前都必须执行使写（0x06）指令将标志位置WEL=1，此后才能写入，写入后此位自动清零WEL=0。可以通过读状态寄存器I（0x05）的第2位，即WEL 位，查看其是否为0，如为0 则写入成功。
1.W25Q64 是华邦公司推出的大容量SPIFLASH 产品，W25Q64 的容量为64Mb，W25Q128的容量为128Mb。W25Q64 的擦写周期多达10W 次，具有20 年的数据保存期限，支持电压为2.7~3.6V。2.操作时序。#160; 根据手册说明，发送指令需要将CS拉低。指令发送完毕在将CS拉高。指令有可能是单字节希望你能满意。
W25Q128FV 有一WEL（Write Enable Latch）标志位，擦除、写入前都必须执行使写（0x06）指令将标志位置WEL=1，此后才能写入，写入后此位自动清零WEL=0。可以通过读状态寄存器I（0x05）的第2位，即WEL 位，查看其是否为0，如为0 则写入成功。
4：SPI可以设置输出串行时钟的极性和相位，时钟极性与串行同步时钟的空闲状态的电平有关，CPOL=0，串行同步时钟空闲状态为低电平，反之为高；CPHA可以设置选择两种不同的传输协议，CPHA=0,串行同步时钟的第一个跳边沿数据被采样，反之，在串行同步时钟的第二个跳边沿数据被采样；5：为了防止MISO总线冲突，..
w25q128是芯片的型号，这是SPI Flash，其芯片读写程序只有两种方式：1、使用支持该芯片的编程器；2、使用电路板应用厂家的升级软件。比如该芯片应用于路由器，则使用路由器厂家的升级软件更新固件；应用于电脑主板作BIOS芯片，则使用对应的BIOS升级程序。
W25Qxx系列FLASH初级使用指南(W25Q64 W25Q128等) -
在这个指南中，我们将深入浅出地探索W25Qxx系列的64M-bit（8M-Byte）和128M-bit（16M-Byte）存储器，它们以其高效的分页和擦除特性而闻名。初次上电，设备默认为写禁止状态，你需要先进行写使能操作。下面，让我们一一了解关键步骤：写使能</: 通过DI引脚发送指令"06h"，设置WEL（写启用闩锁）为1，..
如果非”高阻“态，就会读取始终为0。”读“前拉高D3-D0 为”高电平“，即可正常读取。再说一句，虽然”高电平“可以代替”高阻“但是二者是不同的。什么是”高阻“？”高阻“意即”悬空“。如果用寄存器（即SRAM静态存储器单元，参考说完了。
资料上的W25Q128 Flash芯片的时钟频率是最大值还是规定值? -
① 最大值。你完全可以把Agera RS开出40kph的速度。② 没那么方便。访问时需要通过SPI或DSPI或QSPI接口的时序操作，无法实现单个指令的存取。而且Flash写入时还需要擦除，不可能像RAM用起来那么随心所欲。好处就是容量大、不丢失。
通用IO 端口数据应改变。确保闪存指定地址保存的数据不是擦除时的0xff，那么读取数据前，置通用IO 端口为”高阻“（如果没有”高阻“可用”高电平”0xff 代替），读取数据后，通用IO 端口数据应改变。
向spi flash w25Q128发送命令0xff的目的是什么?产生时序? -
对的，就是为了产生读的时序。因为mcu发送命令0xff时发送的数据一直是1不会变化，改变的只有CLK，w25Q128就能根据clk响应数据。
W25Q128FV 闪存的”擦除“是对Sector区（4B）的，而”写入“是对Page页（256B）的。如果”擦除写入“同时进行，两次擦除的区域将都是0x0000：0x0000&0x1000=0x0000，0x0100&0x1000=0x0000 因此先前写入页被擦除。应该区分”擦除“和”写入“操作。