常温下硅二极管的门限电压为多少(
硅二极管与锗二极管的性质有什么不同? -
一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。拓展内容：二极管二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管后面会介绍。
2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管好了吧！
一般硅二极管的门限电压约为0.5V~0.6V, 锗二极管的门限电压约为0.1V~0.2V。拓展内容：二极管二极管，（英语：Diode），电子元件当中，一种具有两个电极的装置，只允许电流由单一方向流过，许多的使用是应用其整流的功能。而变容二极管（Varicap Diode）则用来当作电子式的可调电容器。大部分二极管后面会介绍。
2.根据实验研究，锗二极管正向在0.2V就开始有电流了，而硅二极管要到0.5V才开始有电流，也就是说两者达到导通的起始电压不同3.在反向电压下，硅管的漏电流要比锗管的漏电流小得多。开始导通后，锗管电流增大速度较慢，硅管电流增大速度相对较快4.硅二极管反向电流远小于锗二极管反向电流，锗管好了吧！
若想要PN结导通，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场，对于硅材料，克服该电场需要0.6-0.8伏，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏。这就是硅管开启电压大的原因了。
它的电流是零，只有当它两端的电压大于门限电压时才有电流，硅二极管的门限电压约为0.6伏，锗二极管的门限电压约为0.3伏，而常见的发光二极管是由砷化镓材料制成的，门限电压更大，约为1.8到2伏.从电容和二极管的导电特性来看，
什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...
在正向电压很小时，通过二极管的电流很小，只有正向电压达到某一数值Ur后，电流才明显增长。通常把电压Ur称为二极管的门限电压，也称为死区电压或阈值电压。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压。工作原理二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性，在PN结上等我继续说。
（1）多用表的交流挡是用半导体二极管半波整流成为脉动直流，通过直流表头来显示，刻度是经过转换后对应的交流电压数值．而二极管的导通有一定的门限电压，一般使用硅二极管，其门限电压为0.6～0.7V，因此，用二极管整流后的交流电压是有一定损失的，如图所示．一般测量电压峰值超过10V，导通电压降低造成的好了吧！
温度对二极管伏安特性的影响 -
由于二极管主要由PN结构成，而半导体GRM155R71H472KA01D具有热敏性，所以二极管的特性对温度很敏感。如果外加的是正向电压，温度升高时，扩散运动加强，多数载流子运动加剧，正向电流增大，二极管正向特性曲线向左移动，导通压降减小。如果外加的是反向电压，温度升高时，本征激发的少子数目增多，运动加剧，则反向希望你能满意。
因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度(硅管为140左右，锗管为90左右)时，就会使管芯过热而损坏。所以在规定散热条件下，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值。例如，常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。2、最高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子等我继续说。
计算机主板电路图中各种字母代号的意思是什么??要详细 -
我们又称它为门限电压或死区电压，一般用UON表示，在室温下，硅管的UON约为0.6---0.8V,锗管的UON约为0.1--0.3v,我们一般认为当正向电压大于UON时，二极管才导通。否则截止。反向特性：二极管的反向电压一定时，反向电流很小，而且变化不大(反向饱和电流),但反向电压大于某一数值时，反向电流急剧变大，产生击穿。温度特性等我继续说。
温度升高后二极管正向压降减小，反向电流增大。