在杂质半导体中多数载流子的浓度取决于
在杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于 -
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(A),而少数载流子的浓度与掺杂工艺有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷杂质半导体顾名思义就是含有杂质的半导体。半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体。杂质半导体一般可分为N型半导体和P型半导体。半等我继续说。
正确答案：掺入杂质元素的多少，
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于(A),而少数载流子的浓度与掺杂工艺有很大关系。A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体管缺陷杂质半导体顾名思义就是含有杂质的半导体。半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体。杂质半导体一般可分为N型半导体和P型半导体。半等我继续说。
正确答案：掺入杂质元素的多少，
杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于低频小信号。在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度取决于温度，温度决定了本征半导体载流子度n，多子浓度则由参杂决定。n方除以多子浓度就是少子浓度。多子浓度主要由掺杂浓度决定，受温度影响较小。对于n型半导体，如果掺杂浓等我继续说。
6.光照光照作用下，半导体中的载流子受激发而产生复合，这可能导致多数载流子浓度降低。但是，也可以利用光照来提高半导体中的载流子浓度，例如在太阳能电池中就利用了这一原理。7.掺杂方式不同的掺杂方式也会对多数载流子浓度产生影响。例如，在n型掺杂时采用铍(Be)或硼(B)作为施主杂质掺入，它们与硅是什么。
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于什么 -
杂质半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度。资料扩展：在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。也叫掺杂半导体。半导体中的好了吧！
书上写的是在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度；而少数载流子的浓度主要取决于温度---《电子技术基础第二版霍亮生主编》P3
在杂志半导体中多数载流子的浓度主要取决于杂质浓度 -
多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。一般采用高温扩散工艺进行掺杂：（1）N型半导体：掺入五价杂质元素（如磷）..
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度。
填空;在杂质半导体中,多数载流子的浓度取决于(),而少数载流子的浓度则...
杂质电离，PNP，NPN，电子，空穴，
在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于掺入的杂质浓度，而少数载流子的浓度主要取决于温度。