光耦817参数(
光耦817参数 -
光耦817是一种光电耦合器件，通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离。其主要参数决定了其性能特点和应用范围。发光波长范围：光耦817发出的光信号处于可见光波段，这意味着它可以通过肉眼直接观察到其发光情况，便于初步的检测和判断。传输速度：最高可达1Gbps的传输速度表明，光耦817适用于高速数据传输场景，..
根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：1、高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。2、输入二极管正向电压：1.25V。3、最大集电极电流：50 mA。4、集电极和发射极的最大电压比：80V。5、4引脚DIP封装和SMT封装。6、下降时间：18μs；上升时间：18μs。7、输入输出间高隔离电压：5kV。8、最高工作等我继续说。
光耦817是一种光电耦合器件，通过光信号实现输入与输出之间的电气隔离。其主要参数决定了其性能特点和应用范围。发光波长范围：光耦817发出的光信号处于可见光波段，这意味着它可以通过肉眼直接观察到其发光情况，便于初步的检测和判断。传输速度：最高可达1Gbps的传输速度表明，光耦817适用于高速数据传输场景，..
根据知乎资料显示，这款光耦参数如下：1、高VCEO（集电极-发射极电压）：80V MAX。2、输入二极管正向电压：1.25V。3、最大集电极电流：50 mA。4、集电极和发射极的最大电压比：80V。5、4引脚DIP封装和SMT封装。6、下降时间：18μs；上升时间：18μs。7、输入输出间高隔离电压：5kV。8、最高工作等我继续说。
光耦的技术参数主要包括LED正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和电压VCE(sat)。此外，传输数字信号时还应考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的一个重要参数，通常用DC电流传输希望你能满意。
描述 晶体管输出光电耦合器5000 Vrms 50mA HCPL-817描述说明HCPL-817-000E 为内含通过光学耦合到光敏晶体管发光二极管的光敏晶体管光电耦合器，采用4-pin DIP 封装并提供宽接脚间隔和弯脚SMD 选择。输入输出隔离电压为5,000Vrms，输入电流5mA 时响应时间tr 大约在4μs，最低CTR 为后面会介绍。
817光耦能不能代换421光耦 -
PC817参数：制造商： Sharp Microelectronics 产品种类： 晶体管输出光电耦合器RoHS: 是配置： 1 输入类型： DC 最大集电极/发射极电压： 80 V 最大集电极/发射极饱和电压： 200 mV 绝缘电压： 5000 Vrms 电流传递比： 600 最大正向二极管电压： 1.4 V 最大集电极电流： 50 mA 最大功率耗散： 170 mW还有呢？
最大输出电压（VO）为35V，最大工作电流（IC）为50mA等。EL817C是一种小型双极性光耦合器，是由一个红外发射二极管和一个NPN硅光敏三极管组成，最大输出电压（VO）为35V，最大工作电流（IC）为50mA，最大工作电压（VCEO）为80V，接口类型是双行直插式。
PC817光耦的最大隔离电压是多少? -
在光耦中已经是最高了，目前为止，没有光耦的隔离电压在5000V以上。2、如果要求稳定，可以采用PC817A的，因为PC817的CTR（电流传输比）有A、B、C、D四档，PC817也有替换型号：如EL817或者TLP781。3、另外，不考虑“更为稳定，隔离电压更高”的要求，TLP521是可以完全替代PC817的。
Id = (24 - 1.2) / 4.7K = 4.85mA 输入电流太小，R29 改为2KΩ 。
光耦817参数谁知道?急!!! -
光耦合器的技术参数主要有发光二极管正向压降VF、正向电流IF、电流传输比CTR、输入级与输出级之间的绝缘电阻、集电极-发射极反向击穿电压V(BR)CEO、集电极-发射极饱和压降VCE(sat）。此外，在传输数字信号时还需考虑上升时间、下降时间、延迟时间和存储时间等参数。电流传输比是光耦合器的重要参数，通常希望你能满意。
光耦816和817的差别：输出部分的耐压不一样：PC817输出部分的耐压Vce0为35V，PC816输出部分的耐压Vce0为70V。其他的两者之间几乎没有差别。光电耦合器在多种电子设备中的应用非常广泛。随着数字通信技术的迅速发展以及光隔离器和固体继电器等自动控制部件在机械工业中的应用不断扩大， 特别是微处理机在各个是什么。