什么叫半导体掺杂技术

什么叫半导体掺杂技术

什么叫半导体掺杂? -
就是在四价的半导体内加入导电的元素，比如在硅，锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性，加入的愈多，半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的，因为轻重掺杂的费米能级不一样，所以设计器件的时候有的时候把相同的半是什么。
半导体的常用掺杂技术主要有两种，即高温（热）扩散和离子注入。掺入的杂质主要有两类：第一类是提供载流子的受主杂质或施主杂质（如Si中的B、P、As）；第二类是产生复合中心的重金属杂质（如Si中的Au）
半导体的掺杂是什么意思啊? -
掺杂是将少量杂原子（掺杂剂）引入半导体中，以改变其电学性质的一种方法。常见的掺杂方式有四种：离子注入：使用加速器将高能离子注入半导体晶片中；扩散法：将含有所需杂原子的气体或液体在高温下与半导体反应，使杂原子扩散到半导体内部形成浓度分布；气相外延法：将所需杂原子的气体混合在载气中，通过后面会介绍。
5.1概述掺杂是指将需要的杂质原子掺入到特定的半导体区域中，用于对衬底基片进行局部掺杂。以达到改变半导体电学性质，形成PN结、电阻、欧姆接触的目的。扩散和离子注入ⅢA族受主掺质(P型)元素硼铝镓铟原子量5133149ⅣA族半导体元素碳硅锗锡原子量6143250ⅤA族施体掺质(N型)元素氮磷砷锑原子量71533515后面会介绍。
介绍下半导体的掺杂问题? -
半导体之所以能广泛应用在今日的数位世界中，凭借的就是其能借由在其晶格中植入杂质改变其电性，这个过程称之为掺杂（doping）。掺杂进入本质半导体（intrinsic semiconductor）的杂质浓度与极性皆会对半导体的导电特性产生很大的影响。而掺杂过的半导体则称为外质半导体（extrinsic semiconductor）。半导体掺杂物等会说。
半导体术语中的掺杂是指控制特殊杂质原子的数量，从而有目的地增加电子或者空穴的浓度。为了增加电子浓度，通常会在硅中掺入Ⅴ族元素，如磷与锗，这些提供额外电子的杂质原子称为施主原子；为了增加空穴浓度，通常会在硅中掺入Ⅲ族元素，如硼，这些提供多余空穴的杂质原子称为受主原子。掺杂半导体称为非好了吧！
什么是半导体本征半导体和掺杂半导体? -
本征半导体就是一种纯净的半导体晶体。本征半导体中存在两种载流子：带负电荷的自由电子和带正电荷的空穴。它们是成对出现的，也叫电子空穴对。由于两者电荷量相等，极性相反，所以本征半导体是电中性的。本征半导体在外界的作用下，电子形成电子电流，空穴形成空穴电流。虽然两种载流子的运动方向相反，但因为等我继续说。
掺杂（英语：doping）是半导体制造工艺中，为纯的本征半导体引入杂质，使之电气属性被改变的过程。引入的杂质与要制造的半导体种类有关。轻度和中度掺杂的半导体被称作是杂质半导体，而更重度掺杂的半导体则需考虑费米统计律带来的影响，这种情况被称为简并半导体。

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