rds计算公式(
如何算 RDS% -
相对标准偏差（RSD）标准偏差（SD）计算结果的算术平均值*100 标准偏差SD的公式自己算吧，
根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。mos阻在mos场效应管（MOSFET）中，因为器件的结构和材料的因素，会产生一些零散的电阻，不在电路设计中考虑，但仍然存在。这些零散电阻就被称为“寄生电阻“
相对标准偏差（RSD）标准偏差（SD）计算结果的算术平均值*100 标准偏差SD的公式自己算吧，
根据公式RS=1/gm-(RDS(on)+RCH)计算可得在70到200欧姆之间。m为MOS管的跨导值（即导数），RDS(on)为硅片表面的接触电阻，RCH为沟道电阻。mos阻在mos场效应管（MOSFET）中，因为器件的结构和材料的因素，会产生一些零散的电阻，不在电路设计中考虑，但仍然存在。这些零散电阻就被称为“寄生电阻“
答案为：3π/2*a^2 2sqrt(2)πa^2(1 cosθ)^(3/2)dθ把积分变量代换成θ/2 可以比较当然如果说心形线凹进去的部分不算侧面积只要求出沿极轴方向离顶点最远数学表达方法：极坐标方程：水平方向：ρ=a(1-cosθ) 或ρ=a(1+cosθ) (a>0)垂直方向：ρ=a(1-sinθ) 或ρ=到此结束了？。
脉冲尖峰是其中大量浪涌（或尖峰电流）流过设备的脉冲尖峰。确定了这些条件下的最大电流后，只需选择可承受该最大电流的设备即可。选择额定电流后，还必须计算传导损耗。在实际情况下，MOS晶体管不是理想的器件，因为在传导过程中会损失电能，这称为传导损耗。
电池短路保护原理!!! -
如果比所定的过电流检测电压还高则停止放电，计算公式为：V-=I×Rds(on)×2(V-为过电流检测电压，I为放电电流)。假设V-=0.2V，Rds(on)=25mΩ，则保护电流的大小为I=4A。简单的来说，就是检测电池的电流和电压比，经过比较电路比较后如果比值过大则通过外挂元件切断放电电路。
导通内阻用工具无法测量，但是可以根据以下公式判断：R=U/I。也即，导通时候电流I可以测量，MOS管压降U可以测量（供电电压减去负载电压）。这个方法是曾经做电机驱动时候的计算方式，但是，导通内阻跟Vgs有一定关系，也就是说MOS没有完全导通时候内阻会大，毕竟MOS是电压驱动型器件。另外手册上的Rds（on）..
单位荷载法 -
也即恒有如下虚功方程成立We=Wi简言之：简言之：内力虚功等于外力虚功§6-3结构位移计算的一般公式dsdλ单位荷载法一、变形体内力虚功的计算dsdsdηRγdθ1εκ=（1）三种变形：）三种变形：Rds（2）微段两端相对位移：dθ=）微段两端相对位移：κ⋅dsRγdη=γ⋅dsdλ=ε&#到此结束了？。
高效电源的秘密：95%的转化效率，如SMPS降压转换器的卓越表现，97%的效率并非偶然。关键在于理解其内部损耗，比如降压型转换器通过低RDS(ON) MOSFET和同步整流技术实现。首先，MOSFET的传导和开关损耗不容忽视。传导损耗的精确计算需利用电流峰值和谷值积分，如图1所示，而当峰均电流较小，通过平均电流估算有帮助请点赞。
计算心形线r=a(1+cosθ)与圆r=a所围图形面积 -
简单计算一下即可，答案如图所示，
卵磷脂/鞘磷脂比值(L/S)表示肺成熟度，如比值≥2,表示胎儿肺成熟；<1.5则表示胎儿肺尚未成熟，出生后可能发生新生儿呼吸窘迫综合征(RDS),临床上可用泡沫试验代替，如两管液柱上均有完整泡沫环为阳性，表示L/S≥2。胎儿肺成熟；如两管未见泡沫环为阳性，表示胎儿肺未成熟；一管有泡沫环另一管无，为临界值，L/S可能<好了吧！