p沟mos管怎么判断好坏(
场效应管,怎样测量好坏。 -
场效应管好坏判别方法：1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。同样也可以判别出P沟道是什么。
P沟道MOS管作为开关，当栅源电压差达到-0.4V时，DS导通，如S为2.8V，G为1.8V时，GS为-1V，管子导通，D为2.8V。反之，如果S和G电压相同（如2.8V），mos管不导通，D为0V。要mos管导通为系统供电，需G低电平控制，GPIO至少需要2.4V才能关断，低于此值mos管导通。N沟道和P沟道的接法相到此结束了？。
场效应管好坏判别方法：1.结型场效管的判别将万用表置于RXlk档，用黑表笔接触假定为栅极G管脚，然后用红表笔分别接触另两个管脚。若阻值均比较小(约5'--10欧)，再将红、黑表笔交换测量一次。如阻值均很大，属N沟道管，且黑表接触的管脚为栅极G，说明原先的假定是正确的。同样也可以判别出P沟道是什么。
P沟道MOS管作为开关，当栅源电压差达到-0.4V时，DS导通，如S为2.8V，G为1.8V时，GS为-1V，管子导通，D为2.8V。反之，如果S和G电压相同（如2.8V），mos管不导通，D为0V。要mos管导通为系统供电，需G低电平控制，GPIO至少需要2.4V才能关断，低于此值mos管导通。N沟道和P沟道的接法相到此结束了？。
你的分析没有错，是题目出错了。所以Pmos导通。Vgs为0或者负压时，Pmos导通；Vgs为正压时，且大于最小阈值电压，Pmos截止；
快速判断方法：箭头由P指向N，看箭头尖尖指向的极性为N还是P，为N则G极为低电压时导通，为P则高电压导通。详细解释：MOS管首先要判断是PMOS还是NMOS，导通时的管道是正电荷形成的则为PMOS，是负电荷形成则为NMOS，如图所示小箭头的方向为MOS导通过程中电子的运动轨迹，我们需要让电子按这个轨迹运动才能后面会介绍。
n沟道和p沟道mos管的区别 -
n沟道MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，其沟道区域掺杂为n型，即掺杂了电子。而p沟道MOS管的沟道区域掺杂为p型，即掺杂了空穴。这种掺杂类型的差异导致了两者在工作原理和性能特点上的差异。n沟道MOS管中，沟道区的掺杂为n型，当沟道区施加正向电压时，电子会被吸引到沟道区域，形成导电通道，从而好了吧！
1、P沟道增强型：当Ugs<Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个负数值，最常见的是在-4V ~ -2V之间。2、N沟道增强型：当Ugs>Ugs(th)时，开启。这个Ugs(th)是一个正数值，最常见的是在2V ~ 4V之间。耗尽型的管子比较少见。1、P沟道耗尽型：当Ugs<Ugs(off)时导通，这个Ugs(off)是一个正好了吧！
p沟道mos管有哪些 -
1. 标准P沟道MOS管这种MOS管是最常见的一种，其特点是在其金属栅极与P型衬底之间形成一个P沟道。当施加正电压到栅极时，沟道中的电子会被吸引形成导电通道，从而实现开关功能。2. 增强型P沟道MOS管增强型P沟道MOS管在常态下的沟道非常微弱或不导电。只有在栅极施加了足够的正电压后，沟道才会增有帮助请点赞。
增强型栅极虚线，耗尽行栅极是实线，P沟道箭头由栅极指向外，N沟道箭头由外指向栅极。还有一种是结型场效应管，一般不用，就不增加楼主的负担了，
P沟道耗尽型mos管是怎么工作的?怎么起开关作用?VGS加什么电压管子才导通...
P沟道的管子使用的时候你只需要记住几件事情：当栅极（G）的电压比漏极的电压(D)小5V以上（有的管子可以更低），管子就开始导通，压差越大，G和S（源极）之间的电阻就越小，损耗也就越小，但是不能太大。还有一件事情就是G和S之间的最大耐压，元器件手册上有说明。最后就是G和S之间容许通过的还有呢？
指针表判断N-P沟方法（10K档）：N沟MOS管：红表笔接（D），黑表笔接（S），指针满偏。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。数字表判断N-P沟方法(二极管档)：N沟MOS管：黑表笔接（D），红表笔接（S），显示500左右数字。P沟MOS管：跟N沟MOS管测量现象相反。备注：D就是外壳。