p型半导体的问题
关于P型半导体的问题 -
你可以这么理解，假设半导体中位于共价键的电子是不能移动的，而P型半导体由于3价硼的掺入多了一个空穴，这个半导体要导电，只能由外来电子经过共价键上的空穴流动来实现，如果空穴越多，流过电子的能力就越强，自然导电性更强。而你不理解的地方在于，即使空穴多了，如果电子还是2个，导电能力逻辑上似等会说。
1 硅或锗晶体本身只电中性的，掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的。原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的，原子核的电量为+3）。所以掺杂后仍然是电中性2 掺入入五价元素后形成N型半导体。所谓电子多是指“自由电子”多。例如掺入了一个磷原子，其原子核电还有呢？
你可以这么理解，假设半导体中位于共价键的电子是不能移动的，而P型半导体由于3价硼的掺入多了一个空穴，这个半导体要导电，只能由外来电子经过共价键上的空穴流动来实现，如果空穴越多，流过电子的能力就越强，自然导电性更强。而你不理解的地方在于，即使空穴多了，如果电子还是2个，导电能力逻辑上似等会说。
1 硅或锗晶体本身只电中性的，掺入三价元素杂质后的P型半导体仍然是电中性的。原因是掺入的三价元素本身也是电中性的（最外层三个电子；相应的，原子核的电量为+3）。所以掺杂后仍然是电中性2 掺入入五价元素后形成N型半导体。所谓电子多是指“自由电子”多。例如掺入了一个磷原子，其原子核电还有呢？
不管是N型还是P型还是本征半导体，稳定后其中的空穴和电子个数是相等的。 空穴的概念可以理解为30个人坐30张凳子，受外界干扰后，老师让他们随机换位子，最后有人站着必然有位置空着。引入P型N型只是加入相同的位置与人或减去相同的位置和人，调位置变得复杂或者简单一点。硅在稳定的时候可以理解为不到此结束了？。
p型半导体中不能移动的杂质离子带负电是错误的。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由到此结束了？。
P型半导体和N型半导体和PN结对外显什么电性?为什么? -
第一，P型半导体和N型半导体都是不带电的对外成电中性。第二，之所以叫P型半导体是因为他的导电性是靠多数载流子也就是带正电的空穴体现的空穴参与导电所以是positive（积极的，阳性的，正的）代表正电也叫空穴型半导体N是negative（消极的，阴性的，负的）的首字母代表负电这里的正负指的是好了吧！
P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性等会说。
温度升高时,p型半导体中的什么增多? -
这个问题需要根据不同情况来考虑首先是处于低温弱电离区0～100k的区间，这个区间内半导体的本征激发很小，p型半导体内部的空穴主要由三族元素电离产生，本征激发可忽略不计，随着温度升高，杂质的电离率快速增大，电离的空穴快速增加，因此在这个区间温度升高p型半导体中增多的主要是空穴浓度。温度继续升高有帮助请点赞。
“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。
P型半导体带正电,N型半导体带负电。对错 -
您好！这种说法是错的不论是P型还是N型半导体，它们本身是不带电的，也就是保持电中性。区别只是载流子的浓度不同，P型中的空穴浓度大于自由电子浓度，N型恰恰相反。P型半导体或N型半导体因为掺的“杂质”不同 导致空穴占多或载流电子占多但本身都是电中性的所参杂质能够有效影响半导体的导电性。
P型半导体：掺杂元素：P型半导体通常是由硅等半导体材料与三价元素（如铝、硼等）的掺杂形成的。这些三价元素称为“杂质”或“施主”。性质：在P型半导体中，由于掺杂元素添加了少量的“空穴”（正电荷），因此它的主要载流子是正电荷载流子（空穴）。空穴相当于电子缺陷，在外部电场的作用下，空穴会等会说。