n沟道场效应管
场效应管中N沟道和P沟道的工作原理 -
原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，,电场消失，沟道消失。增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通谢谢采纳 已赞过已踩过< 你对这个回答的评价是？ 评论收起fmcx178 2011-09-24到此结束了？。
场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成后面会介绍。
原理：两种沟道都是利用多数载流子的定向移动来导电，N沟道的多数载流子是电子，p沟道是空穴，当沟道中有电场时，就会有大量载流子，形成通路，,电场消失，沟道消失。增强型场效应管是高电平导通(高电平时形成沟道),耗尽型是低电平导通谢谢采纳 已赞过已踩过< 你对这个回答的评价是？ 评论收起fmcx178 2011-09-24到此结束了？。
场效应管有两大类，结型场效应管JFET和绝缘栅型场效应管IGFET，后者性能更为优越，发展迅速，应用广泛。图Z0121 为场效应管的类型及图形、符号。一、结构与分类图Z0122为N沟道结型场效应管结构示意图和它的图形、符号。它是在同一块N型硅片的两侧分别制作掺杂浓度较高的P型区（用P 表示），形成后面会介绍。
举例说明，左图为N沟道场效应管（型号IRF630），右图为P沟道场效应管（型号IRF9640），电源电压12V，具体到你这个电路中，图中电阻等元件可以根据实际电路更换相关阻值，从图中你可以初步了解场效应管做开关电路的接法。场效应管，英文缩写MOSFET，一般有3个管脚。依内部PN结方向的不同，MOSFET分为N沟道是什么。
n沟道和p沟道MOS管的区别在于沟道区的掺杂类型不同。n沟道MOS管是一种金属氧化物半导体场效应管，其沟道区域掺杂为n型，即掺杂了电子。而p沟道MOS管的沟道区域掺杂为p型，即掺杂了空穴。这种掺杂类型的差异导致了两者在工作原理和性能特点上的差异。n沟道MOS管中，沟道区的掺杂为n型，当沟道区施加正向到此结束了？。
场效应管n道沟和p道沟怎么区分? -
G极是比较好区分的，大家一眼就能区分。不论是P沟道mos管还是N沟道，两根线相交的就是S极。不论是P沟道还是N沟道，单独引线的那边就是D极。2）N、P沟道如何区分？箭头指向G极的就是N沟道。箭头背向G极的就是P沟道。3）寄生二极管方向N沟道，由S极指向D极。P沟道，由D极指向S极。MOS管导通等我继续说。
场效应管N沟道和P沟道判断方法（1） 场效应管的极性判断，管型判断（如图）G极与D极和S极正反向均为∞ （2） 场效应管的好坏判断把数字万用表打到二极管档，用两表笔任意触碰场效应等我继续说。
N沟道增强型场效应管的工作原理 -
形成N源区到N漏区的N型沟道。把开始形成反型层的V(GS)值称为该管的开启电压V(T)。这时，若在漏源间加电压V(DS)，就能产生漏极电流I(D)，即管子开启。V(GS)值越大，沟道内自由电子越多，沟道电阻越小，在同样V(GS) 电压作用下，I(D)越大。这样，就实现了输入电压V(GS)对输出电流I(D)希望你能满意。
结型场效应管N沟道UGD=UGS-UDS的原因：UGD是栅极漏极之间的电压，UGS是栅极相对于源极的电压，UDS是漏极相对于源极的电压。所以UGS和UDS就是栅极相对于漏极的电压，即UGD。结型场效应晶体管JFET是在同一块N形半导体上制作两个高掺杂的P区，并将它们连接在一起，所引出的电极称为栅极g，N型半导体有帮助请点赞。
三极管常说的“N沟道”是NPN型吗? -
不是，你理解错了，这是两种结构完全不同的管子，这个“N沟道”指的不是BJT晶体三极管而是FET场效应管，俗称MOS管；通常情况下三极管分两种一种是单极型三极管，即FETMOS管；一种是双极型三极管，即BJT管；其中FETMOS管不仅分有【N沟道】和【P沟道】两种，还分有【增强型】和【耗尽型】两种；因此组合到此结束了？。
对于N沟道的场效应管其源极和漏极接在N型半导体上，同样对于P沟道的场效应管其源极和漏极则接在P型半导体上。我们知道一般三极管是由输入的电流控制输出的电流。但对于场效应管，其输出电流是由输入的电压（或称电场）控制，可以认为输入电流极小或没有输入电流，这使得该器件有很高的输入阻抗，同时这好了吧！