os管三个区电压多少(
MOS管的三个电极分别为Us=-5V,Ug=1V,Ud=3V,Ugs(th)=4V为什么此时的工作...
你现在可以计算一下：UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。你可以参考：童诗白，《模拟电子技术基础》第四版，P46页。
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区说完了。
你现在可以计算一下：UDS=8V>UGS-UGS(th)=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源。你可以参考：童诗白，《模拟电子技术基础》第四版，P46页。
高压mos管电压在400V~1000V左右，低压mos管在1~40V左右。2、反应速度不同耐高压的MOS管其反应速度比耐低压的MOS管要慢。mos管是金属、氧化物、半导体场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体、半导体。MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区说完了。
这个管子是N沟道MOS管，75伏75安最大300安。正常使用不能超过75伏。MOS管使用常识：栅极悬空是不允许的，会击穿。
一般mos管允许的最高栅级电压是20v或30v。如果你选择的mos管允许的最高栅级电压是30v，无论是PMOS或NMOS,可以很方便控制开关。如果你选择的mos管允许的最高栅级电压是20v，建议选择NMOS,栅级电压用分压电阻控制在20V以下就可以控制开关。
MOS管开关状态工作在哪个区?为什么VGS>4V只是开启条件,要达到9V才能...
，一般来说，MOS管要比较好的导通需要10V左右的电压。3、MOS管的开关状态是指在可变电阻区和夹断区之间切换（最佳），但也可以是恒流区和夹断区之间切换（不过不推荐，此时MOS管相当于工作在放大状态，外部电压大量加在DS上，导致UDS会很大，再加上电流，会引起MOS管明显发热）
是的，G极的电压需要2-4V之间。MOS管的source和drain是可以对调的，都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。在对称的MOS管中，对source和drain的标注有一点任意性，载流子流出source，流入drain。因此Source说完了。
mos管的三个极 -
11、UDSUGSUGSth时，恒流区相当于三极管放大区你现在可以计算一下UDS=8VUGSUGSth=2V，所以明显是属于恒流区，此时对于每个UGS，都有一个iD与它对应，MOS管可视为电压UGS控制的恒流源你可以参考童诗白。12、原来导通的，由于电流过大，承受不住发热产生高温而烧断，是过流原来不通的，由于耐压不够或等会说。
针对反激架构，MOS管的电压可以分成三个部分：Bulk电容电压+N*Vo+Vspike Bulk电容电压最大值，在没有PFC线路的情况下，等于1.414*Vin N为变压器的圈比，Vo为输出电压，这一部分为二次侧反射到一次侧的电压Vspike为变压器的漏感与MOS管的Coss产生震荡所引起，这一部分与变压器的绕发有关，不太容易还有呢？
mos工作在三个区的条件 -
该工作在三个区的条件如下：mos管有三个工作区域，分别是截止区域、线性（欧姆）区域、饱和区域。当VGS＜VTH时，mos管工作在截止区域；对于要感应的沟道和mos管在线性或饱和区工作，VGS＞VTH；栅极-漏极偏置电压VGD将决定mos管是处于线性区还是饱和区。
你要明白饱和的概念，并不是VGS多少V就会饱和，而是当ID的电流流过漏极负载电阻，而电阻产生的压降略等于电源电压时，就是饱和。VGS＝3V，电流在8A左右，如果VDS为5V，那负载超过0.625R时就会饱和（8A*0.625R＝5V）。而此时如果电阻只有0.1R，那电流需要50A才能饱和，那VSG就需要约4V才行。