SCR.***.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点
SCR.GTO.GTR功率MOSFET。IGBT的各自优缺点 -
而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而IGBT，为Insulated Gate Bipolar Transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比MOSFET要强，一般用等我继续说。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电有帮助请点赞。
而功率MOSFET由于是单极型器件，电流处理能力相对较弱，但由于其在开关过程中，没有载流子存储的建立与抽取，其频率特性好，用于高频低压领域。而IGBT，为Insulated Gate Bipolar Transistor，是绝缘栅双极场效应管，为电压控制电流，栅控器件，其工作频率比普通的双极器件高，电流处理能力比MOSFET要强，一般用等我继续说。
IGBT驱动电路的特点是：驱动电路具有较小的输出电阻，IGBT是电压驱动型器件，IGBT的驱动多采用专用的混合集成驱动器。GTR驱动电路的特点是：驱动电路提供的驱动电流有足够陡的前沿，并有一定的过冲，这样可加速开通过程，减小开通损耗；关断时，驱动电路能提供幅值足够大的反向基极驱动电流，并加反偏截止电有帮助请点赞。
IGBT的频率一般不会超过100KHz,但高频性能比GTR好。MOSFET 的频率理论上可以做到1MHz（1000KHz）应用范围比较多的频率段应该为几百KHz左右。所以排序大概为：GTO<SCR<GTR<IGBT<MOSFET 另外，设计电路中选择功率器件不能只考虑频率，还有如开关损耗、驱动电路的设计、电流电压等级，所以说这是个折衷考虑的好了吧！
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO \r\n \r\nGTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿问题\r\n \r\nGTO好了吧！
电力电子开关IGBT、GTR、GTO和电力MOSFET哪个开关损耗最大?多谢_百 ...
这个只能比较大多数情况，IGBT因为有拖尾现象所以一般频率不如MOS管，超过100KHz就算很高了，而VMOS就可以更高。SCR频率就低了一般也就几百Hz，GTO比SCR高不了多少，GTR稍高可到几K最多几十K。所以：SCR<GTO<GTR<IGBT<MOSFET
单管GTR饱和压降VCES低，开关速度稍快，但是电流增益β小，电流容量小，驱动功率大，用于较小容量的逆变电路。MOSFET优点：热稳定性好、安全工作区大。缺点：击穿电压低，工作电流小。IGBT是MOSFET和GTR（功率晶管）相结合的产物。特点：击穿电压可达1200V，集电极最大饱和电流已超过1500A。由IGBT作为逆变希望你能满意。
当前主流的电力电子器件有哪些?各自适用的场合? -
（1）当前主流的电力电子器件包括：SCR（普通晶闸管）、双向SCR（双向晶闸管）、GTO（可关断晶闸管）、MOSFET（功率场效应管）、IGBT（绝缘栅双极型晶体管）和IGCT（换流关断晶闸管）。这些器件各自适用于不同的场合，例如，SCR和双向SCR常用于电力调节和控制系统中，GTR和MOSFET适用于高速开关应用，而IGBT和有帮助请点赞。
IGBT 开关速度高，开关损耗小，具有耐脉冲电流冲击的能力，通态压降较低，输入阻抗高，为电压驱动，驱动功率小 开关速度低于电力MOSFET,电压，电流容量不及GTO GTR 耐压高，电流大，开关特性好，通流能力强，饱和压降低 开关速度低，为电流驱动，所需驱动功率大，驱动电路复杂，存在二次击穿希望你能满意。
IGBT、GTO、GTR与MOSFET的驱动电路有什么特点? -
IGBT成为绝缘栅型场效应管GTO 门极可关断晶闸管GTR 巨型晶闸管MOSFET 如果你采用的是王兆安的第五版的那么书上的结论如下：1.GTO的驱动电路：分为脉冲变压器耦合式和直接耦合两种，直接耦合应用范围广，但是功耗大，效率低。给出的例子就是其驱动特点：原方N1到副方N2出项两种导通：正向：C3放电—..
可以设置相应的占空比，如SCR就可以设置脉冲周期为电源周期1/50,脉冲宽度为窄脉冲，为电源周期的5%,脉冲幅值可以取为5~10V，如果设置触发延迟角α为45度，只需将相位延迟参数设置为2.5ms，可以根据需要自己设置触发角，不同的电路可能还要设置相应的死区时间，即要留有一定裕度，防止误导通。