MOS管的参数ID的意义是什么
MOS管漏极电流怎么计算? -
ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。这个公式的详细解释如下：漏极电流（ID）是MOS管中的电子流，取决于沟道的尺寸（W 和L）..
嗯，可以这么理解。不过需要说明的是，Id一般是在充分散热的条件下测出来的，是实验室条件下的参数值，一般晶体管如果散热不好，这些极限参数会大幅缩水。在实际工况条件下，一般很难达到这个值，有1/5就不错了。所以这两个值只供参考，在实际选型的时候，要大打折扣来用才比较好。
ID 代表漏极电流（Drain Current）。μn 是电子迁移率，反映了电子在半导体中的移动速度。Cox 是栅极氧化层的电容。W 是沟道的宽度。L 是沟道的长度。VGS 是栅极与源极之间的电压。Vth 是MOS管的阈值电压。这个公式的详细解释如下：漏极电流（ID）是MOS管中的电子流，取决于沟道的尺寸（W 和L）..
嗯，可以这么理解。不过需要说明的是，Id一般是在充分散热的条件下测出来的，是实验室条件下的参数值，一般晶体管如果散热不好，这些极限参数会大幅缩水。在实际工况条件下，一般很难达到这个值，有1/5就不错了。所以这两个值只供参考，在实际选型的时候，要大打折扣来用才比较好。
可以这么认为，但是在应用一般是用Ids来表示mos管的电流能力，
饱和区电流基本不随ugs变化而变化的，也就是图中那个叠在一起的部分。（而恒流区是ugs不变，id不随uds的变化而变化的。区别一下）要想让mos管工作在饱和状态，那么你先要给定一个vds ，这个肯定是已知的就是你的供电电压vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上当vds=10v的时候说完了。
现在的MOS管最大的ID有多大,即最大的漏极电流。 -
1、以专业做高压MOS的日本富士（FUJI）来作参照。ID最大100，ID（pulse）最大400。型号是2SK3883-01。2、以专业做低压高电流的IR品牌作参照。ID在25摄氏度最大的是522，型号IRFS7430-7P。
因为Vds=Vdd-Id*Rd，因此mos管中iD增加vDS下降！！满意请采纳，谢谢！
mos管中iD增加,为什么vDS下降 -
MOS的导通压降不仅和导通电流有关，还和栅极控制电压有关。导通电流相同的情况下，栅极控制电压不一样，导通压降也是不一样的，因此即便导通电流增大，也可以通过改变栅极控制电压使导通压降减小。
1：4.5。根据查询相关公开信息显示，因为在较低的电压情况下，宽度越窄，所需要的饱和电压就越高，反之亦然，因此，如果想要在较低的电压情况下实现更高的饱和电流，则需要使用高宽比的晶体管。
MOS管的可变电阻区,ID不也受Ugs控制吗,为什么放大状态不工作在可变电...
稳定性较好的信号，如果MOS管工作在可变电阻区，那么输出增益在不断变化，微小的电压变化可能引起增益很大的差异，而增益值在可变电阻区与恒流区临界处会达到最大，进入恒流区后的一定电压范围内，输出增益保持不变（如果不考虑沟道调制效应的话），因此，只有在恒流区才可以得到理想的预期结果。
漏极电流2.25毫安，输出电压4.5伏，