20n60效应管参数(
20N60管子参数是什么? -
20N60场效应管是一款针对高电压和大电流应用设计的器件，其主要参数如下：首先，该管子支持的电流规格为20安培（A），能够在600伏特（V）的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中，它的集电极-发射极击穿电压为600V，保证了器件的耐压能力。在脉冲电流方面，集电极脉冲电流可以说完了。
20N60场效应管是一种高性能的半导体器件，具有多种关键参数。其主要参数包括：电流与电压特性**：最大漏源电流可达20A，漏源击穿电压高达600V，这使得它在高电压、大电流的应用场合中表现出色。导通电阻**：RDS(ON)在特定条件下（如VGS=10V时）的典型值为0.3Ω，最大值可达0.4Ω或0.42Ω，这是什么。
20N60场效应管是一款针对高电压和大电流应用设计的器件，其主要参数如下：首先，该管子支持的电流规格为20安培（A），能够在600伏特（V）的电压下稳定工作。N通道IGBT的特点使其适用于需要高电压驱动的电路中，它的集电极-发射极击穿电压为600V，保证了器件的耐压能力。在脉冲电流方面，集电极脉冲电流可以说完了。
20N60场效应管是一种高性能的半导体器件，具有多种关键参数。其主要参数包括：电流与电压特性**：最大漏源电流可达20A，漏源击穿电压高达600V，这使得它在高电压、大电流的应用场合中表现出色。导通电阻**：RDS(ON)在特定条件下（如VGS=10V时）的典型值为0.3Ω，最大值可达0.4Ω或0.42Ω，这是什么。
在栅源电压方面，20N60场效应管的栅源电压范围是±30V，这对于控制和驱动电路的性能至关重要。它的功率损耗在连续工作状态下为74W，确保了在正常使用时的散热管理。导通电阻是衡量管子效率的关键参数，当ID为10A且VGS为10V时，静态导通电阻的典型值为0.31Q，最大值为0.38Q，这表明其在低负载下表好了吧！
ContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=25℃:20AContinuousDrainCurrent漏极电流ldTc=100°℃:12.5APowerDissipation功率损耗Pd:74W StaticDrain-SourceOn-Resistance导通电阻ID=10A,VGS=10V:Typ0.31QMax0.38Q2JunctionandStorageTemperatureRange温度范围：-55~+150°℃ 20N60场效应管/TO-220封装尺寸：
20N60与12N50的区别 -
虽然都是N沟道场效应管，但参数差别大，不能互代，12N50是500V12A0.5Ω，20N60是600V20A0.45Ω，具体参数参考下图：
k3683的参数为：'P沟道': {'最大漏源电压(V)': 60, '最大栅源电压(V)': 20, '最大漏极电流(A)': 10, '最大耗散功率(W)': 150, '最高结温(℃)': 150}} 20n60的参数为：'N沟道': {'最大漏源电压(V)': 60, '最大栅源电压(V)': -20, '最大漏极电流说完了。
cs20n60参数及代换 -
cs20N60的参数是650V.20.7A.208W，是一带阻的N沟道场效应管。根据查询相关资料信息可用H20T120、HW20T120、H20R1202、H20R1203、GT40T301代换。
虽然都是N沟道场效应管，但参数差别大，不能互代，12N50是500V12A0.5Ω，20N60是600V20A0.45Ω，具体参数参考下图：
jfam20n60c参数 -
jfam20n60c参数是：耐压600V、电流20A、功率208W。根据查询相关信息显示：20N60C场效应管参数：耐压600V、电流20A、功率208W。是一带阻的N沟道场效应管，应以H20T120、HW20T120、H20R1202、H20R1203、GT40T301代换。
gf19nc60kd能和20n60代换。gf19nc60kd参数是每600V16A。20N60就是N沟道场效应管，其参数是每600V20A。该场效应晶体管的数字代表耐压和电流标称值，后者可以代换前者的。