1n5404的二极管的参数(
二极管1N45404 -
1N5404 是标准型普通整流二极管。具体参数:反向重复峰值电压: VRRM=400V 正向平均整流电流: IF(AV)=3.0A
1N5404属于整流二极管,封装DO-27,这颗二极管的具体参数如下最大峰值反向电压:400V 最大直流阻断电压:400V 1N5404属于整流二极管,封装DO-27,这颗二极管的具体参数如下最大峰值反向电压:400V 最大直流阻断电压:400V 最大平均正向整流电流:3.0A 最大瞬间电流3.0A 正向压降:1.0V 封装:DO-27/DO-201等会说。
1N5404 是标准型普通整流二极管。具体参数:反向重复峰值电压: VRRM=400V 正向平均整流电流: IF(AV)=3.0A
1N5404属于整流二极管,封装DO-27,这颗二极管的具体参数如下最大峰值反向电压:400V 最大直流阻断电压:400V 1N5404属于整流二极管,封装DO-27,这颗二极管的具体参数如下最大峰值反向电压:400V 最大直流阻断电压:400V 最大平均正向整流电流:3.0A 最大瞬间电流3.0A 正向压降:1.0V 封装:DO-27/DO-201等会说。
▲MBR5150是肖特基快速恢复二极管,参数如下:150V 5A 140pF ▲1N5404是普通整流二极管400V 3A 30pF 肖特基二极管具有开关频率高和正向压降低等优点,所以常用于频率较高的电路中,而普通二极管通常用于50-60Hz的电路中。
05Z15Y 硅稳压二极管Vz=14.4~15.15V,Pzm=500mW,05Z18Y 硅稳压二极管Vz=17.55~18.45V,Pzm=500mW,1N4001 硅整流二极管50V, 1A,(Ir=5uA,Vf=1V,Ifs=50A)1N4002 硅整流二极管100V, 1A,1N4003 硅整流二极管200V, 1A,1N4004 硅整流二极管400V, 1A,1N4005 硅整流二极管600V, 1A有帮助请点赞。
二极管1n400和1n5404有什么区别 -
1N5404:普通整流二极管,3A,400V;由于1N400不存在,因此有几种可能:1N4000,7.5V稳压管,老式金属封装;1N4001,普通整流二极管,1A,50V;1N4002,普通整流二极管,1A,100V;1N4003,普通整流二极管,1A,200V;1N4004,普通整流二极管,1A,300V;1N4005,普通整流二极管,1A,600V;1N4006,普通后面会介绍。
IN5404与IN5408的电流都是3A,反向电压分别是400V、800V,其它参数相同,所以可以替代。一般而言,电解电容器的标称容量应相同,高耐压的可替代低耐压的(如果安装位置可能)
1N5401二极管参数? -
1N5401,硅整流二极管。最高反向工作电压VR,100V,最大平均整流电流IF,3A。整流二极管(rectifier diode)一种用于将交流电转变为直流电的半导体器件。二极管最重要的特性就是单方向导电性。在电路中,电流只能从二极管的正极流入,负极流出。通常它包含一个PN结,有正极和负极两个端子。P区的载流子是空穴,等我继续说。
能否代替,需要看你的应用环境。1N5404是3A400V,1N4007是1A1000V。如果你的1N4007使用在反向峰值低于400V的回路里,那么1N5404完全可以代替1N4007。
in5404二极管的代换 -
1N5404与1N5401二极管的主要参数区别在于耐压,5400耐压是400V,而5401耐压为100V,整流电流完全一样,如果功放电路电源电压不大于50V是没有问题的。芯片tda2030组成的功放电路,电压最高只有±18V,所以使用5401代替5404是没有问题的。
1N5408和1N5404是同一个系列的二极管,除了耐压不同之外,其它指标完全相同。1N5408的耐压是1000V,而1N5404的耐压是400V,因此1N5408可以代替1N5404,但1N5404不能代替1N5408。