12n50e参数及代换
12n50e参数及代换 -
12n50e场效应管参数：1200V、50A、功率200w，频率3KHz，可以用12N60C替换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称后面会介绍。
虽然都是N沟道场效应管，但参数差别大，不能互代，12N50是500V12A0.5Ω，20N60是600V20A0.45Ω，具体参数参考下图：
12n50e场效应管参数：1200V、50A、功率200w，频率3KHz，可以用12N60C替换。场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型：结型场效应管（junction FET—JFET)和金属- 氧化物半导体场效应管（metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET）。由多数载流子参与导电，也称后面会介绍。
虽然都是N沟道场效应管，但参数差别大，不能互代，12N50是500V12A0.5Ω，20N60是600V20A0.45Ω，具体参数参考下图：
