常温下硅二极管的门限电压为多少(

常温下硅二极管的门限电压为多少(

硅管比锗管的开启电压大的原因?？
若想要PN结导通🤣-🎨，外施正向电压形成的场强大小必须首先要能够克服该内建电场*🐼——🕊，对于硅材料😻🌞_|🐲*，克服该电场需要0.6-0.8伏😪🐜_——🐫🥌，对于锗材料克服该电场需要0.1-0.3伏🦫🍂-🐘。这就是硅管开启电压大的原因了👻——😿🌼。
它的电流是零🌸😼|🦎，只有当它两端的电压大于门限电压时才有电流👿_🐲🐱，硅二极管的门限电压约为0.6伏🐉|_🌾🥀，锗二极管的门限电压约为0.3伏*-🦜，而常见的发光二极管是由砷化镓材料制成的🐳🐘|🐈🐁，门限电压更大🍁——🐼🐒，约为1.8到2伏.从电容和二极管的导电特性来看😯——🤖，
什么是二极管的死区电压?为什么会出现死区电压?硅管和锗管的死区电压...
在正向电压很小时🐏*-🦊🥊，通过二极管的电流很小🌦——🥋🪰，只有正向电压达到某一数值Ur后🪅☘_🦉，电流才明显增长🤒🪢-🎐🕊。通常把电压Ur称为二极管的门限电压🐆🍁|🐊，也称为死区电压或阈值电压😦🦫-🦚。由于硅二极管的Is远小于锗二极管的Is🦗-🦥，所以硅二极管的门限电压大于锗二极管的门限电压🐅——🎲🐝。工作原理二极管的主要原理就是利用PN结的单向导电性🙁🦢-🐕，在PN结上等我继续说🃏|🦌🐃。
（1）多用表的交流挡是用半导体二极管半波整流成为脉动直流🕸--😗🦖，通过直流表头来显示🐣——🌹，刻度是经过转换后对应的交流电压数值．而二极管的导通有一定的门限电压🦇🎗_-😇，一般使用硅二极管🍃_-🦘，其门限电压为0.6～0.7V🤗||🐭，因此🦊🤒|♣，用二极管整流后的交流电压是有一定损失的🐞🥎-🦎，如图所示．一般测量电压峰值超过10V😆|😭，导通电压降低造成的等我继续说🎐-🐪🏵。
温度对二极管伏安特性的影响?？
由于二极管主要由PN结构成🐐😛__🐸，而半导体GRM155R71H472KA01D具有热敏性🎄🧧——😺🦕，所以二极管的特性对温度很敏感🎐——_🦚。如果外加的是正向电压🪀_-🥌🐀，温度升高时🎆🌚——-🐩，扩散运动加强*_|*🍄，多数载流子运动加剧😍🌳-🦢，正向电流增大🤫⛅️——-🐙，二极管正向特性曲线向左移动🦥🐝——-🐙😦，导通压降减小🍀_——😴😳。如果外加的是反向电压🤢🪁-👺😘，温度升高时😎|——🦣，本征激发的少子数目增多😊_|🦓，运动加剧🐾🐂-|🐾，则反向有帮助请点赞🐨-🥀💐。
因为电流通过管子时会使管芯发热🕷🐸|🦜，温度上升🙁-——🐊🏉，温度超过容许限度(硅管为140左右🐃😄|——🌱😞，锗管为90左右)时🪰🤖-😰，就会使管芯过热而损坏😡|🐷。所以在规定散热条件下🌥🐪|🌜🌒，二极管使用中不要超过二极管最大整流电流值🐝😨_|🐝🙈。例如😵_|🐉🦎，常用的IN4001-4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A🐩🐽_|🦟🥌。2🐾_🎎、最高反向工作电压加在二极管两端的反向电压高到一定值时⭐️🌴_🎄，会将管子等会说⛈_🦮。
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我们又称它为门限电压或死区电压☁️_🦠😔，一般用UON表示🙊🦠——🐺😢，在室温下🦕|_🦤🐾，硅管的UON约为0.6---0.8V,锗管的UON约为0.1--0.3v,我们一般认为当正向电压大于UON时🌲🐂_💐，二极管才导通🥇🐚-_🐁🦂。否则截止🏓🐜|🪳😯。反向特性🤧🏈-|😞：二极管的反向电压一定时🌨😗——-🦕，反向电流很小🦭_👻，而且变化不大(反向饱和电流),但反向电压大于某一数值时🐓|🏅🤯，反向电流急剧变大🌝--🎨😧，产生击穿🎳_|🐂🐅。温度特性说完了🤧|🌼😖。
温度升高后二极管正向压降减小😩——🦓🦄，反向电流增大🏅⛳-——🙂👺。

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