mos管的id电流公式推导(
MOS管漏极电流怎么计算??？
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏极电流通常由以下公式计算⛅️——|🙈：ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中🐵————🦚🧵：ID 代表漏极电流（Drain Current）🦖🌕-😦🐜。μn 是电子迁移率*🎳-🦝🐂，反映了电子在半导体中的移动速度🌒🐥||🐿。Cox 是栅极氧化层的电容😠——-🦍🕹。W 是沟道的宽度👹——_🌪🦒。L 是沟道的长度😾|_🤮。VG好了吧🦛🐺——-🦛！
（而恒流区是ugs不变🦔🌟——_🧶，id不随uds的变化而变化的🦔——🤑😙。区别一下）要想让mos管工作在饱和状态🌩🦘——🌏，那么你先要给定一个vds ✨🌈-🐅🦋，这个肯定是已知的就是你的供电电压vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上当vds=10v的时候只有当ugs 约大于9v之后🐽-😡，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区）所以有帮助请点赞🦉🐖-🎄🦌。
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏极电流通常由以下公式计算⛅️——|🙈：ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中🐵————🦚🧵：ID 代表漏极电流（Drain Current）🦖🌕-😦🐜。μn 是电子迁移率*🎳-🦝🐂，反映了电子在半导体中的移动速度🌒🐥||🐿。Cox 是栅极氧化层的电容😠——-🦍🕹。W 是沟道的宽度👹——_🌪🦒。L 是沟道的长度😾|_🤮。VG好了吧🦛🐺——-🦛！
（而恒流区是ugs不变🦔🌟——_🧶，id不随uds的变化而变化的🦔——🤑😙。区别一下）要想让mos管工作在饱和状态🌩🦘——🌏，那么你先要给定一个vds ✨🌈-🐅🦋，这个肯定是已知的就是你的供电电压vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上当vds=10v的时候只有当ugs 约大于9v之后🐽-😡，交点才在mos管的可变电阻区（饱和区）所以有帮助请点赞🦉🐖-🎄🦌。
二者结果相同👽🧿-🤬。漏极电流为零😘_🐼。
因为Vds=Vdd-Id*Rd🍄|_🐙😂，因此mos管中iD增加vDS下降🦈-|🐵！🙊——🦁！满意请采纳🙃-🏸，谢谢*——🐍！
mos管的Id是指额定电流吗?Idm是指峰值电流吗??？
嗯🌳_-🏵🐝，可以这么理解🤡-😩🦗。不过需要说明的是🐄🐆——🦘，Id一般是在充分散热的条件下测出来的🐀_🤭，是实验室条件下的参数值🐼——_*🐄，一般晶体管如果散热不好🌥-|*🦐，这些极限参数会大幅缩水😌😧_-🦤🦄。在实际工况条件下⛸——_🦓，一般很难达到这个值🌝🐖_⛅️，有1/5就不错了🐸_🦄🌻。所以这两个值只供参考🦌————🦈😒，在实际选型的时候🌺🤓_😴🐈⬛，要大打折扣来用才比较好😑_🙄🏸。
可以这么认为😝🐜-🤧，但是在应用一般是用Ids来表示mos管的电流能力🌧-|☹️，
gm/id求mos管饱和时的宽长比?？
1😭————🐊😣：4.5🐨🐊-🙈。根据查询相关公开信息显示😋--🌒🐃，因为在较低的电压情况下😈|——🐑😠，宽度越窄🐖🌸_-🐗🤯，所需要的饱和电压就越高🐃|*，反之亦然*🧿_😎，因此🦃|🪢，如果想要在较低的电压情况下实现更高的饱和电流🦩||🐦，则需要使用高宽比的晶体管🧸-_🏵🤒。
漏极电流2.25毫安🥅||😱，输出电压4.5伏🎴🎫__😺，
mos管中iD增加,为什么vDS下降?？
MOS的导通压降不仅和导通电流有关🐰——_😡，还和栅极控制电压有关🦑🐅_🐓🎄。导通电流相同的情况下😣——🤮🐕，栅极控制电压不一样🐵🐗——_🌘😙，导通压降也是不一样的*_🐀😊，因此即便导通电流增大☹️-🏏，也可以通过改变栅极控制电压使导通压降减小🦑🐭|🙀✨。
按80%上下的效率计算🦜|——😢😪，最靠谱的是B