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mos管vds电压怎么计算

2024-08-17 04:04:40 来源:网络

mos管vds电压怎么计算

mos管vds电压怎么计算??
mos管vds电压计算方法🎍——🐍:根据P=I*I*R😔_🌻,得出I=10.3A🐹😌_😬🥈。所以MOS管的选型应Vds>272V*😹——🐾,ID>10.3A🦐——-🌷。你所问的Vds是指D极相对于S极的电压🎗🤩——🦔💀,也就是由原来的参考地改为以S作为参考💀_🤡🐅。简单来说就是你站在2楼以地面作为参考高度是10米的话🐉🪀-——🌏,改为以1楼楼顶作为参考后高度就为5米了😉🤗-|🍁🕷。Vds是场效应管漏极等我继续说🏑😯_|☀️。
区别一下)要想让mos管工作在饱和状态😅🐔——_🌏,那么你先要给定一个vds 😉|🥎,这个肯定是已知的就是你的供电电压vcc 我猜你这个应该是vds 是10到12v 我们看图上当vds=10v的时候只有当ugs 约大于9v之后👺🥊-🐈,交点才在mos管的可变电阻区(饱和区)所以说要9v以上才能让管子完全导通🐳🦈__🪁*。4v是开启电压 等会说😅--🎯。

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三极管放大电路的计算??
由前两个条件可以得知🌲🌵——_💮,场效应管工作在恒流区🦗——🌏🌷:当Vin=3v时🎗-😼😀,漏源间有电流🌕_🦊,说明开启电压小于3v🐗_|*‍❄🐾,此时漏极电压是10-4=6v*||🦁🦕,大于栅极电压*——-🌎,此时一定发生了夹断🦃🦚————🌩,即mos管工作在恒流区🦁_-🌷🐚,静态工作点合适🎨🪢——-🎎🎁。第三个条件告诉了我们低频跨导是0.01s😒-🦉🐿,其实这个参数是和静态工作点密切相关的🥉-|😊,如果有转移特性曲线图等我继续说😔-|🌩。
门极漏极之间的电压🦨————🦌,也就是电势差😩__🐜。如果都用源极作为参考点的话🐍🎿_-🏏,那么可以写成电势差Vgs-Vds 的形式🦈*_🙈🪰。即临界时♦_😗,Vgd=Vgs-Vds=Vth🐹🐋——_🧿,即Vds=Vgs-Vth 这就是推导过程🤧😁|🎾🌟。你要站在电位差的角度🤢😉|-😃🦖,而且空间角度上🌹🎾_🐯🌷,🎭——🙁🐵,你要考虑到源极跟漏极🌍🐈‍⬛__🥀,对于门极来说都是对称的电极😡_*。所以😧🥊——*,规律也是一样的🐌——|😃。这就是本希望你能满意🐌——_👿🌩。
分析含有MOS管的电路,并求VGS和VDS??
Vgs就是栅极对源极的电压🐁🪱_😞,如果源极直接接地😗🤡|🐸🪁,栅极电压就等于Vgs🐏--🌎。
你的分析没有错🦮🎭-🐵,是题目出错了🌱-_🌷。所以Pmos导通🦐😝_🐤。Vgs为0或者负压时💫🌿|🐀,Pmos导通🃏🐟-|☄️;Vgs为正压时🀄_|🏑,且大于最小阈值电压🦜😵-🌓⚡️,Pmos截止*-🐺🦎;
mos管中iD增加,为什么vDS下降??
因为Vds=Vdd-Id*Rd🕷||🙂,因此mos管中iD增加vDS下降🙀🐚-🦓!🏉_🪲!满意请采纳🎫__🤿🐟,谢谢♦🙄——🦡🐃!
在场效应管之中🦥-|🦕☹️,Vgs产生的电场能控制从S到D的电导🌼-🎣。你说的栅和漏之间的电压🦖-🐆,就是漏和源电压减去栅和源之间的电压了🧧————🌦🧧。在这里要以S作为基准点才对🤯🥇_🐇。所以🪶-🐟,Vgs的电压能够控制S-D电导🦩|_🐽👺,电压越高🏑_😺🏏,电导越大🐒🎑——🌷。并且Vsd越高🥉🧵_-🦂🤨,Isd也就越高🦢——🦝。
mos管工作在饱和状的条件是Vgs-Vt>Vds,工作在放大的工作条件是Vds>Vgs...
中间的Uds=Ugs-Ugs(th)🤨🤮|🐯,就是那根预夹断线(如果画在图上就是一根曲线)🤒☹️|——🐗,对于增强型N_MOSFET而言🤬☹️——_🌍,线的左边就是可变电阻区😨🐝||*,右边是恒流区🌒😒_🤧,最底下一片是夹断区🌞🐾_-🍃。比如说🦂_——😙🧨,Ugs=10V🤗——|🏸,Uds=1V🐥🦙——😯🤓,肯定是在可变电阻区了*||🥋🐈,也就是饱和状态🐇🥋_-🐃。你的这个图里😜——🤐,Ugs(th)没有说明☺️👺——🐆,这个数据一般要在MOS管前面希望你能满意🪄-🌑。
(1)首先设定UDS为0🐙_🌩,然后慢慢增加UGS💐🧸-🕷😑,等到UGS〉UGS(th)🦐🎈-🦊,管子两端只要加微量电流🏓🧶-——😜🤭,管子就可以导通🐤⛳-🪅,此时沟道形成了🌼|🙉。(2)当UGS为大于UGS(th)的某个特定值👻🦛——🌎🏒,然后增加UDS🤪-*。当UDS<UGS-UGS(th)时🐽--🪡🌾,管子就等效为一个可变电阻🌻🤢-——🤡,电阻值的大小与UGS有关系🤢|🎰🎍,UGS越大😏🦧——|🙄♣,电阻越小🦝🎐|-🤗🦬。(3)当UDS=UGS-说完了🕷😌|_🦅。