mos晶体管参数
场效应管有哪些参数??？
场效应管参数是🌕🪴|-🎫：N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/🙉🌏-_💐。可以替换的如下🦧——-🐥🐗：K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管🐺🐌——🐐。主要有两种说完了🎉-🌷。
是TO-220的一个变种🦥🦊-|🤭，主要是为了提高生产效率和散热而设计🌹🌈-🦝，支持极高的电流和电压🤨🐐——🐷🌞，在150A以下🐚☁️_🦎、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见🦖-——🧵。6😑——_🎰、TO-252 是目前主流封装之一🐏|😾，适用于高压在7N以下🐱🥎|🪴🦡、中压在70A以下环境中😶-——🐖。STD2NK100Z 的参数技术🍃😚——-🦘☘️： Si 安装风格🕊🎄-☄️*： SMD/SMT 封装/ 箱体🎨💫————🦠： TO-252-3 通道说完了😁——|🎄。
场效应管参数是🌕🪴|-🎫：N一M0SFET/耐压600V/电流9A/功率50W/🙉🌏-_💐。可以替换的如下🦧——-🐥🐗：K2645:600V,1.2Ω,9A,50WK2141:600V,1.1Ω,6A,35WK3326:500V,0.85Ω,10A,40WK1388:30V,0.022Ω,35A,60WK1101:450V,0.5Ω,10A,50W 场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管🐺🐌——🐐。主要有两种说完了🎉-🌷。
是TO-220的一个变种🦥🦊-|🤭，主要是为了提高生产效率和散热而设计🌹🌈-🦝，支持极高的电流和电压🤨🐐——🐷🌞，在150A以下🐚☁️_🦎、30V以上的中压大电流MOS管中较为多见🦖-——🧵。6😑——_🎰、TO-252 是目前主流封装之一🐏|😾，适用于高压在7N以下🐱🥎|🪴🦡、中压在70A以下环境中😶-——🐖。STD2NK100Z 的参数技术🍃😚——-🦘☘️： Si 安装风格🕊🎄-☄️*： SMD/SMT 封装/ 箱体🎨💫————🦠： TO-252-3 通道说完了😁——|🎄。
MOS管（金属氧化物半导体场效应晶体管）的漏极电流通常由以下公式计算🥀_🤥：ID = 0.5 * μn * Cox * [(W / L) * (VGS - Vth)^2]其中🐒🌙——|🌼：ID 代表漏极电流（Drain Current）🦝——🦂🕸。μn 是电子迁移率🌖🌾-⛳🐦，反映了电子在半导体中的移动速度*🐪|🤤🤗。Cox 是栅极氧化层的电容🏏🦜|-🤣🦩。W 是沟道的宽度🎭*_|🦅。L 是沟道的长度**——🐵🦚。VG还有呢？
nMOS🐐🦡_🌈：Vth=0.7V 🐕🦺🐐|——😬🧐，pMOS🐩🐇_|😌：Vth=-0.8V🥈🐏|🤪。MOSFET阈值电压V是金属栅下面的半导体表面出现强反型😰————🐙、从而出现导电沟道时所需加的栅源电压🤮😫——-🎈🦧。由于刚出现强反型时🌪_🐃🐣，表面沟道中的导电电子很少🦫|_🦓，反型层的导电能力较弱🦔——|☄️，因此*——-😔，漏电流也比较小🪄_|🏅。在实际应用中往往规定漏电流达到某一值( 如50μA)时的栅源电压为阈等会说🧨-_🦦*❄。
求贴片N-MOS场效应管 SI2302BDS的参数 和工作原理?？
主要参数😇🐭-_🐼🐈：晶体管类型🤠🍀——🕸：N沟道MOSFET 最大功耗PD 🐲🌼|——😳：1．25W 栅极门限电压VGS 🌟|_🎁：2．5V（典型值）漏源电压VDS 🌦|🎑：20V（极限值） 20v 漏极电流ID🦋-🪆：2．8A 通态电阻RDS（on）🦩🦙——🐣🦄：0．145ohm（典型值）栅极漏电流IGSS😴-🦊😙：±100nA 结温🐀⛈_-😞🦭：55℃to＋150℃ 替代型号🙁--🐅：封装🤧🌱|-♟：SOT－23（TO－236）手打不易🐈|-🐇，..
场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写（FET））简称场效应管😢-🎁。主要有两种类型（juncTIonFET—JFET）和金属-氧化物半导体场效应管（metal-oxidesemiconductorFET😫-🧐，简称MOS-FET）😏👺————🌺🦄。由多数载流子参与导电🦃🦏——|🧸🐅，也称为单极型晶体管😿_⛅️😣。它属于电压控制型半导体器件🙉|-🦜。具有输入电阻高（107～1015Ω）😞🥇-_🐦🪡、噪声小☄️_🪅、功耗低🎄——🦈、动态到此结束了？🦎🤣——|🦒🪲。
场效应管4102STP80NF70参数是什么??？
场效应管4102STP80NF70参数😮🦠——🐉：TO-220🦁——🦋，ST🐝|_😖，DIP/MOS🌟🐔_🌳🌱，N场🐷🤤|——👻，68V🌙__🐕🦺🥏，98A😤_🐸，0.0098Ω🐭😲|🐬😁，最大耐压68V*__🎣。场效1653应管分为结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）两大类🤿——|😟🐊。按沟道材料型和绝缘栅型各分N沟道和P沟道两种😺🌍_——😰；按导电方式🌎🦕_-🏉*：耗尽型与增强型*🌳|——🖼🐳，结型场效应管均为耗尽型🐲🐺-_🤥，绝缘栅型场效应管既还有呢？
这些都是MOSFET管😼🏅_🦁，不是三极管（三极管有NPN😫|🐺🐓，PNP之分😝|🦖，MOSFET没有这种说法）🎭_🙁🎨。1🦑🥀|🦝🌾、工作电流不同IRFP250与250N在参数上有少量区别*🖼-💐，250的持续电流ID为33A😧🥌-_🌒🐔，250N在30A（都是25摄氏度时的最大值）🦉-🙃🦘。2😓——-🎱、功率不同耗散功率IRFP250为180W💫🤡_😦，250N为214W🪁🌘-🐂🐰。3🐯🙀--😋🙊、导通电阻不同导通电阻IRFP250最大为0.085欧还有呢？
三极管和MOS管有什么区别?？
三极管和MOS管的区别🪄--*：1🐷🌥_🐱、工作性质🦎🏉|_🔮🤔：三极管用电流控制🦝🎑_🍂🎣，MOS管属于电压控制🐖🐪-🍃🐞。2🐹👽|——😹、成本问题🎴_🦀👹：三极管便宜😿🥏——🎭，MOS管贵🤢🐱|-😢。3🍁_|🎀🥌、功耗问题😫|_🐊🍀：三极管损耗大🧐——-😻🎲，MOS管较小🌾🦌__🕊🌿。4🐰————🦝、驱动能力🦮🦙_😀：mos管常用来电源开关🤖🐆|🤿，以及大电流地方开关电路🦩-_*🍂。
MOS管的等效电路模型及寄生参数如图2所示🐹-——🦘。图2中各部分的物理意义为🐵🌝_——🐕：（1）LG和RG代表封装端到实际的栅极线路的电感和电阻😌💫_🐰🦆。（2）C1代表从栅极到源端N+间的电容🐏——*🦍，它的值是由结构所固定的⛈——|🛷。（3）C2+C4代表从栅极到源极P区间的电容🎨————🎊。C2是电介质电容😅|-*🌲，共值是固定的🦔😔|——🥏。而C4是由源极到漏极的耗尽区等我继续说🦕🙃|🤥。