当前位置 > 重掺杂效应重掺杂效应和禁带变窄效应

• 

  什么叫重掺杂及其效应?

  就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。重掺杂的半导体中,掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一,而轻掺杂则可能会到十亿分之一的...

  2024-08-23 网络 更多内容 160 ℃ 215
• 

  自掺杂效应

  #在外延生长过程中,衬底杂质及其他来源杂质因为热蒸发,或者化学反应等非人为地参入外延层,改变了边界层中的掺杂成分和浓度,从而导致了外延层中的杂质十几分布偏离理想情况,这种现象称为自掺杂效应。

  2024-08-23 网络 更多内容 240 ℃ 444
• 

  什么晶体管发射区的重掺杂效应?

  这是BJT的发射区因为重掺杂所带来的一种不良现象。 (1)带隙变窄效应的产生机理: 因为半导体重掺杂时将要产生能带尾和杂质能带;当掺杂浓度很高时,能带尾和杂质能带扩展,以致使得能带尾和杂质能带重叠,结果就就使禁带的实际宽度由Eg变窄了ΔEg ,这就是带隙变窄效应。 (2)带隙...

  2024-08-23 网络 更多内容 946 ℃ 736
• 

  自掺杂效应与互扩散效应

  #左图:自掺杂效应是指高温外延时,高掺杂衬底的杂质反扩散进入气相边界层,又从边界层扩散掺入外延层的现象。自掺杂效应是气相外延的本征效应,不可能完全避免。自掺杂效应的影响: #○1改变外延层和衬底杂质浓度及分布; #○2对p/n或n/p硅外延,改变pn结位置右图:互(外)扩散效应:指...

  2024-08-23 网络 更多内容 761 ℃ 855
• 

  何为高掺杂效应?

  #硅中杂质浓度高于称为高掺杂,由于高掺杂而引起的禁带收缩、杂质不能全部电离和少子寿命下降等等现象统称为高掺杂效应

  2024-08-23 网络 更多内容 286 ℃ 329
• 

  外延层为什么采用重掺杂

  外延层采用重掺杂原因如下: 1、为了控制外延层的电特性。 2、采用重掺杂衬底上外延生长轻掺杂层,以减少寄SII3132CNU生电阻,可以有效地提高寄生晶闸管的维持电流和触发电流。

  2024-08-23 网络 更多内容 682 ℃ 855
• 

  什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂

  就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。轻掺杂和重掺杂一般同时出现在一个器件里的,因为轻重掺杂的费米能级不一样,所以设计器件的时...

  2024-08-23 网络 更多内容 502 ℃ 790
• 

  什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂

  就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。重掺杂的半导体中,掺杂物和半导体原子的浓度比约是千分之一,而轻掺杂则可能会到十亿分之一的...

  2024-08-23 网络 更多内容 415 ℃ 407
• 

  [填空题]发射区重掺杂效应是指当发射区掺杂浓度太高时,不但不能提高(...

  注入效率;下降;发射区禁带变窄;俄歇复合增强

  2024-08-23 网络 更多内容 437 ℃ 263
• 

  什么叫半导体的轻掺杂、中掺杂和重掺杂

  就是在四价的半导体内加入导电的元素,比如在硅,锗中加入三价的硼或者五价的磷等来提高导电性,加入的愈多,半导体材料的导电性越强。以加入的比例不同分为轻掺杂、中掺杂和重掺杂。

  2024-08-23 网络 更多内容 136 ℃ 861