当前位置 > 单向晶闸管内部结构单向晶闸管内部结构组成

• 

  单向可控硅的结构控制

  单向可控硅为具有三个 PN 结的四层结构,由最外层的 P 层、N 层引出两个电极――阳 极 A 和阴极 K,由中间的 P 层引出控制极 G。电路符号好像为一只二极管,但好多一个引 出电极――控制极或触发极 G。SCR 或 MCR 为英文缩写名称。 从控制原理上可等效为一只 PNP 三极管和一只...

  2024-07-16 网络 更多内容 539 ℃ 613
• 

  单向晶闸管内部有( )

  B

  2024-07-16 网络 更多内容 990 ℃ 911
• 

  晶闸管的结构

  1.晶闸管的结构    晶闸管是一种4层功率半导体器件,具有3个PN结,其内部的构造、外形和电路符号如下图所示。其中,最外层的P区和N区分别引出两个电极,称为阳极A和阴极K,中间的P区引出控制极(或称门极)。2晶闸管的特点: 具有体积小、结构相对简单...

  2024-07-16 网络 更多内容 795 ℃ 496
• 

  晶闸管的结构

  1.晶闸管的结构    晶闸管是一种4层功率半导体器件,具有3个PN结,其内部的构造、外形和电路符号如下图所示。其中,最外层的P区和N区分别引出两个电极,称为阳极A和阴极K,中间的P区引出控制极(或称门极)。2晶闸管的特点: 具有体积小、结构相对简单...

  2024-07-16 网络 更多内容 697 ℃ 926
• 

  单向可控硅

  啥电路啊?三相整流电路!? 固定了电阻,就会基本固定了可控硅的导通角。莫不如直接用三相整流桥经济适用、还简单。 AG之间的电阻值,需要根据可控硅的导通电流以及电源电压、你想得到的电压,综合考虑后确定的。还需要根据实际情况校正。 总之,电阻小,获得的直流输出电压高;电...

  2024-07-16 网络 更多内容 305 ℃ 410
• 

  单向晶闸管内部有( )PN结。

  B

  2024-07-16 网络 更多内容 974 ℃ 78
• 

  单向晶闸管内部有()PN结。

  B

  2024-07-16 网络 更多内容 661 ℃ 477
• 

  单向晶闸管内部有()PN结。

  B

  2024-07-16 网络 更多内容 543 ℃ 175
• 

  晶闸管的结构

  1.晶闸管的结构    晶闸管是一种4层功率半导体器件,具有3个PN结,其内部的构造、外形和电路符号如下图所示。其中,最外层的P区和N区分别引出两个电极,称为阳极A和阴极K,中间的P区引出控制极(或称门极)。2晶闸管的特点: 具有体积小、结构相对简单...

  2024-07-16 网络 更多内容 312 ℃ 482
• 

  单晶硅片的结构

  熔融的单质硅在凝固时硅原子以金刚石晶格排列成三维空间长程有序的形式成为单晶硅。 单晶硅具有准金属的物理性质,有较弱的导电性,其电导率随温度的升高而增加,有显著的半导电性。超纯的单晶硅是本征半导体。在超纯单晶硅中掺入微量的ⅢA 族元素,如硼可提高其导电的程度,而...

  2024-07-16 网络 更多内容 742 ℃ 217