当前位置 > 半导体p区和n区半导体p区和n区的关系

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  N型半导体和P型半导体有什么区别?

  就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。P型半导体:也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的...

  2024-08-08 网络 更多内容 609 ℃ 396
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  为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子

  它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。百度百科...

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  为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子

  它们扩散的结果就使P区一边失去空穴,留下了带负电的杂质离子,N区一边失去电子,留下了带正电的杂质离子。开路中半导体中的离子不能任意移动,因此不参与导电。这些不能移动的带电粒子在P和N区交界面附近,形成了一个空间电荷区,空间电荷区的薄厚和掺杂物浓度有关。扩展资料...

  2024-08-08 网络 更多内容 788 ℃ 241
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  p型半导体和N型半导体

  半导体制冷片的制式产品已经很多了,上百瓦的都有呀,没必要自制,效率也不会比厂家的高。 制冷率如果是指制冷效率的话和大小也没有关系。同样的材料工艺大的比小的制冷量高而已。

  2024-08-08 网络 更多内容 534 ℃ 83
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  二极管的N区、P区 是什么意思?

  要讲半导体物理太沉长,就形象点说吧; N区;“电子型”半导体。原子外层电子比P型半导体多一个。 P区;“空穴型”半导体。原子外层电子比N型半导体少一个。 当两种半导体材料表面紧密接触时,两种材料的原子外层的自由电子相互与对方构成共价键, 当两种材料原子的外层电子各自...

  2024-08-08 网络 更多内容 523 ℃ 16
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  IGBT栅极下面是p区还是n区

  这个问题比较复杂,IGBT还分为Trench型和Planar型(平面型)。你问的是栅极下面,应该是指平面型IGBT。原胞区栅极下面既有N型也有P型,P型区在栅极加正电压的时候会反型,形成反型沟道;N型区位于两个P型区之间,是JFET区,此区的大小影响IGBT的Bv和Vcesat。见图。

  2024-08-08 网络 更多内容 208 ℃ 791
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  n区和p区是什么意思?

  要讲半导体物理太沉长,就形象点说吧; N区;“电子型”半导体。原子外层电子比P型半导体多一个。 P区;“空穴型”半导体。原子外层电子比N型半导体少一个。 当两种半导体材料表面紧密接触时,两种材料的原子外层的自由电子相互与对方构成共价键, 当两种材料原子的外层电子各自...

  2024-08-08 网络 更多内容 619 ℃ 747
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  为什么半导体中PN结的P区是负离子,N区的是正离子??

  P型和N型半导体接触后,在接触面,N型区的多子电子向P型区扩散,同时P型区的多子空穴也向N型区扩散,叫做载流子的扩散。这时在接触面的N型区留下了正电荷,在P型区留下了负电荷。两者正好形成自建电场,自建电场又使载流子漂移,漂移的方向正与以上扩散的方向相反。平衡时,载流...

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  mos管的N型和P型有什么区别?

  NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅极电压达到4V或10V就可以了。 PMOS的特性,Vgs小于一定的值就会导通,适合用于源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是,虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动,但由于导通电阻大,替换种类少等原...

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