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  集成电路封测行业深度报告:先进封装助力高速互连

  如若进一步缩小凸点间距会带来翘曲和精 度问题，回流焊不再适用，而是转用热压键合（TCB）的方式。当凸点间距缩小 至 10um 时，TCB 工艺中会产生金属间化合物，导致导电性能下滑。为了在高集 成度（凸点间距 10um 以内）的芯片封装中解决这些问题，混合键合技术正在得 到越来越多的青睐。 混合键合是一种永久键合...

  2024-08-07 网络 更多内容 690 ℃ 343
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  集成电路封测行业深度报告:先进封装助力高速互连

  如若进一步缩小凸点间距会带来翘曲和精 度问题，回流焊不再适用，而是转用热压键合（TCB）的方式。当凸点间距缩小 至 10um 时，TCB 工艺中会产生金属间化合物，导致导电性能下滑。为了在高集 成度（凸点间距 10um 以内）的芯片封装中解决这些问题，混合键合技术正在得 到越来越多的青睐。混合键合是一种永久键合...

  2024-08-07 网络 更多内容 243 ℃ 753
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  中科同帜半导体(江苏)有限公司发布TCB热压键合机

  TCB热压键合是标准倒装芯片工艺的演变,主要完成芯片对wafer,芯片对PCB等基板的凸点热压键合的工艺。目前该装置实现了大尺寸(50/70mm)裸芯片的热压键合。基板真空吸附加热装置最大尺寸可以实现300*300mm。 公司简介: 中科同帜半导体(江苏)有限公司,成立于2016年9月,2021年3月迁入泰兴市高新区“中关村协同创新中心”办厂...

  2024-08-07 网络 更多内容 476 ℃ 458
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  先进封装最强科普

  在由多个部分组成的系列中,将深入研究实现先进封装技术,如高精度倒装芯片、热压键合(TCB)和各种类型的混合键合(HB)。首先让我们讨论一下对先进封装的需求,摩尔定律正在以迅猛的速度发展。自台积电 32nm 失误以来,直到目前的 5nm 工艺节点,台积电的晶体管密度每年增长 2 倍。尽管如此,真实芯片的密度每 3 年增长约 ...

  2024-08-07 网络 更多内容 955 ℃ 273
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  ZR加热电机LRHS5040在热压键合TCB中的创新应用芯片工艺

  TCB工艺对键合设备要求极为苛刻,必须具备高精度对准系统、快速温度控制系统、精准压力控制系统三大关键工艺指标,以确保芯片/元件键合质量。 如果说贴片头是TCB工艺设备的心脏,那么控制了键合温度、键合力度和位移的ZR电机则是整个TCB设备的中枢神经系统。 目前国内TCB工艺设备主要依靠进口,且价格高昂、生产效率低下、灵活性...

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  江苏DTSDTS+TCB预烧结工艺DTS系统

  江苏DTSDTS+TCB预烧结工艺DTS系统 射频器件无压烧结银AS9376 使用了GVF预烧结银焊片使器件结温可以超过200°C。因此,GVF预烧结银焊片可以大幅降低功率限额,或者在确保电流相同的情况下缩小芯片尺寸,从而降低电力成本。 GVF预烧结银焊片(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)和金,银,铜表面剪切强度都很大。

  2024-08-07 网络 更多内容 976 ℃ 146
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  泰姆瑞公司发布TCB热压键合贴片设备

  4. 主动倾斜控制系统:TCB热压键合设备还配备了一套主动倾斜控制系统,可以精确调节脉冲加热器的共面度,使其与基板所在的加热板表面完美贴合。这种控制系统几乎可以消除芯片翘起相关的失效,保证了TCB工艺的可靠性。 TCB热压键合设备的推出,是泰姆瑞对市场的深度洞察与前沿技术的完美结合。它不仅进一步加强了泰姆瑞在高精密贴...

  2024-08-07 网络 更多内容 863 ℃ 296
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  上海DTSDTS+TCB预烧结工艺DTS+TCB焊片

  善仁新材的GVF9700无压预烧结焊盘和GVF9800有压预烧结焊盘,为客户带来多重便利,包括无需印刷、点胶或干燥,GVF预烧结银焊片工艺(DTS+TCB(Die Top System +Thick Cu Bonding)可以将铜键合线和烧结工艺很好结合在一起,同时具有较高的灵活性,可以同时让多个键合线连接在预烧结焊盘上来进行顶部连接。使用了GVF预烧结...

  2024-08-07 网络 更多内容 425 ℃ 707
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  普莱信重磅发布Loong系列TCB先进封装设备

  芯片和存储的制造,是卡在中国AI产业脖子上最紧的铁链,其中最关键的设备,除了光刻机之外,在整个AI芯片和HBM的制造工艺中,2.5D或者3D先进封装,芯片堆叠的先进工艺和设备是其核心之一,无论海力士,三星还是美光,现阶段采用的均是TCB工艺,其中,海力士采用TCB MR-MUF, 三星及美光主要以TCB NCF技术,但是随着HBM的发展,...

  2024-08-07 网络 更多内容 721 ℃ 771
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  半导体封装工艺中关于“混合键合”的详解;

  在封装史上,最后一次重大范式转变是从引线键合到倒装芯片。从那时起,更先进的封装形式(例如晶圆级扇出和 TCB)一直是相同核心原理的渐进式改进。这些封装方法都使用某种带焊料的凸块作为硅与封装或板之间的互连。这些技术可以一直缩小到约 20 微米的间距。

  2024-08-07 网络 更多内容 196 ℃ 463