当前位置 > t3d6f可控硅基本参数t3d6f可控硅基本参数含义
-
3ft8c可控硅的参数
1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极---阴极间可以连续通过谈消的50赫兹正弦半波电流粗雀的平均值。 2、正向阻断峰值电压VPF在控制极开路未加触发信号,阳极正向电压还未超过导能电压时,可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。 3、反向阴断峰值电压VPR当岩侍早可控硅...
2024-08-21 网络 更多内容 816 ℃ 113 -
3tt8f1可控硅参数?
可控硅整流器件 参数||型号|极限参数|直流参数|管腿排列|外形| IT A|VDRM V|VRRM V|PGM W|PG(AV) W|VTM|IDRM|IRRM|VGT|IGT|IH|dv/dt V/μS| V|ITM mA|μA|VDRM V|μA|VRRM V|V|VAK V|RL Ω|μA|VAK V|RL Ω|mA|VD V| 3CT06 3CT06E 3CT06F 3CT06G 3CT06H|0.6|300 400 500...
2024-08-21 网络 更多内容 467 ℃ 357 -
t1d6可控硅参数?
型号 = BTA16600B◇电流 = 16.0(A)◇电压 = 600(V)◇结温 = 125(℃)◇封装形式 = TO220AB◇管脚排列 = T1T2G
2024-08-21 网络 更多内容 235 ℃ 359 -
t1d6可控硅参数?
t1d6可控硅参数是字母t和数据1和字母d和数据6和文字可和控和硅
2024-08-21 网络 更多内容 350 ℃ 804 -
可控硅主要参数
可控硅的主要参数非过零触发无论交流电电压在什么相位的时候都可触发导通可控硅,常见的是移相触发,即通过可控硅的主要参数 1、额定通态平均电流IT在一定条件下,阳极阴极间可以连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 2、正向阻断峰值电压VPF 在控制极开路未加触发信号...
2024-08-21 网络 更多内容 672 ℃ 472 -
z3m可控硅参数?
z3m可控硅参数封装TO220F开启状态RMS电流 It RMS4 A额定重复关闭状态电压 VDRM800 V保持电流Ih最大值25 mA栅极触发电压Vgt1.1 V栅极触发电流Igt35 mA工作温度min40℃工作温度max工作温度max
2024-08-21 网络 更多内容 791 ℃ 988 -
可控硅主要参数?
电流 1. 额定通态电流(IT)即最大稳定工作电流,俗称电流。常用可控硅的IT一般为一安到几十安。 耐压 2. 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。 触发电流 3. 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅...
2024-08-21 网络 更多内容 536 ℃ 420 -
常用的可控硅参数说明
参数符号说明:IT(AV)通态平均电流VRRM反向重复峰值电压IDRM断态重复峰值电流ITSM通态一个周波不重复浪涌电流VTM通态峰值电压IGT门极触发电流VGT门极触发电压IH维持电流dv/dt断态电压临界上升率di/dt通态电流临界上升率Rthjc结壳热阻VISO模块绝缘电压Tjm额定结温VDR...
2024-08-21 网络 更多内容 965 ℃ 84 -
tlc336可控硅参数?
双向可控硅,3A、600v,lGT13≤10mA,lGT4≤25mA。
2024-08-21 网络 更多内容 523 ℃ 196 -
常用可控硅主要参数有什么?
常用可控硅的IT一般为一安到几十安。耐压 反向重复峰值电压(VRRM)或断态重复峰值电压(VDRM),俗称耐压。常用可控硅的VRRM/VDRM一般为几百伏到一千伏。触发电流 控制极触发电流(IGT),俗称触发电流。常用可控硅的IGT一般为几微安到几十毫安。 额定正向平均电流4.在规定环...
2024-08-21 网络 更多内容 987 ℃ 469
- 08-21t1d6可控硅参数
- 08-21t1m3f可控硅参数
- 08-21可控硅t1d6的代换
- 08-213ct06b可控硅
- 08-21t1c6可控硅
- 08-213tt16f1可控硅参数
- 08-213ct8s可控硅参数
- 08-21t1d6可控硅
- 08-213tt8f1可控硅参数
- 08-21t1d6可控硅参数脚位
- 新的内容