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当前位置 > p型半导体参杂元素p型半导体参杂元素是什么

  • p型半导体掺杂是什么?

    p型半导体掺杂是什么?

    P型掺杂为3价元素,掺杂之后掺杂元素代替原来Si原子的位置,从而使其周围的Si原子多出了一个未成键的电子,半导体内能量较高的电子容易被这个Si原子俘获,而这个电子离开的位置留下一个空位,

    2024-07-17 网络 更多内容 523 ℃ 971
  • P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

    P型半导体是在本征半导体内掺杂( )价元素。

    A 、 3 B 、 5 C 、 2 D 、 4

    2024-07-17 网络 更多内容 347 ℃ 771
  • p型半导体掺入几价元素?

    p型半导体掺入几价元素?

    p型半导体掺入3价元素。是硼、铟、镓等。在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体,掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形...

    2024-07-17 网络 更多内容 737 ℃ 655
  • 在本征半导体中加入什么元素可形成p型半导体

    在本征半导体中加入什么元素可形成p型半导体

    在本征半导体中,加入掺杂元素可以改变其导电性质,其中掺杂了特定元素后可以形成p型半导体。1、能带结构。 掺杂三价元素之后,半导体材料的能带结构发生嫌森变化。在p型半导体中,由于缺少了电子,价带的最高能级上出现了能量较高的能级,被称为价带空穴带(valence band hole ban...

    2024-07-17 网络 更多内容 316 ℃ 301
  • p型半导体中掺入的三价元素是什么

    p型半导体中掺入的三价元素是什么

    p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ...

    2024-07-17 网络 更多内容 817 ℃ 491
  • p型半导体中掺入的三价元素是什么

    p型半导体中掺入的三价元素是什么

    p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ...

    2024-07-17 网络 更多内容 343 ℃ 849
  • p型半导体中掺入的三价元素是什么

    p型半导体中掺入的三价元素是什么

    p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ...

    2024-07-17 网络 更多内容 511 ℃ 952
  • P型半导体是在纯净的半导体中掺入磷元素还是硼元素?

    P型半导体是在纯净的半导体中掺入磷元素还是硼元素?

    纯净的半导体加入五价的磷元素,硅是四价原子,磷原子在硅的晶格中会电离出一个电子,磷原子带正电,电子作为载流子,所以是是N型半导体;掺杂三价硼,硼在硅的晶格中会缺少一个电子,硼带负电,产生空位处是空穴载流子,所以是P型半导体;

    2024-07-17 网络 更多内容 251 ℃ 158
  • 半导体的杂质

    半导体的杂质

    受主掺杂后的半导体称为p型半导体(ptype semiconductor),p代表带正电荷的电洞。 以一个硅的本质半导体来说明掺杂的影响。硅有四个价电子,常用于硅的掺杂物有三价与五价的元素。当只有三个价电子的三价元素如硼(boron)掺杂至硅半导体中时,硼扮演的即是受主的角色,掺杂了硼的...

    2024-07-17 网络 更多内容 102 ℃ 691
  • P型半导体是在本征半导体参入五价元素获得的。

    P型半导体是在本征半导体参入五价元素获得的。

    P型半导体不是在本征半导体参入五价元素获得的。 在本征半导体中掺入5价的元素可以得到N型半导体。例如,现在用的最多的硅本征半导体,掺入5价的元素磷或锑都可以,使其转变为N型半导体。 在本征半导体中掺入微量的3价元素等元素杂质时的半导体,称为P型半导体

    2024-07-17 网络 更多内容 639 ℃ 353
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