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  p型半导体中的多子是

  在p型半导体中,多子是指在杂质原子掺入后,少数载流子(即空穴)被氢离子或其他杂质原子捕获形成的“多余”的空穴。这些空穴不参与电子传导,而是在晶格中跳动,并对材料的导电性能产生影响。 在p型半导体中,大量掺杂的杂质原子主要是三价元素,如硼(B),铝(Al)等,它们会向晶体中释...

  2024-07-16 网络 更多内容 549 ℃ 84
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  在p型半导体中多数载流子是什么

  在p型半导体中多数载流子是什么介绍如下:P型半导体中的多数载流子是空穴。 P型半导体,即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。如果半导体中电子浓度大时,电子就是多数载流电子,空穴就是少数载流电子。相反,如果该半导体中空穴浓度大时,空穴就是多数载流电子,电子就是少...

  2024-07-16 网络 更多内容 561 ℃ 61
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  在本征半导体中加入什么元素可形成p型半导体

  在本征半导体中,加入掺杂元素可以改变其导电性质,其中掺杂了特定元素后可以形成p型半导体。1、能带结构。 掺杂三价元素之后,半导体材料的能带结构发生嫌森变化。在p型半导体中,由于缺少了电子,价带的最高能级上出现了能量较高的能级,被称为价带空穴带(valence band hole ban...

  2024-07-16 网络 更多内容 954 ℃ 183
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  p型半导体中掺入的三价元素是什么

  p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ...

  2024-07-16 网络 更多内容 130 ℃ 886
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  N型半导体和P型半导体中的多子和少子分别是什么?

  在N型半导体中,自由电子多,空穴少,多子是自由电子,少子是空穴。 在P型半导体中,空穴多,自由电子少,多子是空穴,少子是自由电子。不论是N型半导体中的自由电子,还是P型半导体中的空穴,它们都参与导电,统称为“载流子”,“载流子”导电是半导体所特有的。 扩展资料载流子所处的...

  2024-07-16 网络 更多内容 696 ℃ 132
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  p型半导体中多数载流子是什么?

  P型半导体:在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅埋迹晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。扩展资料:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多...

  2024-07-16 网络 更多内容 627 ℃ 330
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  p型半导体是在本征半导体中加入微量的什么元素构成的

  .P型半导体,也称为空穴型半导体。P型半导体掘裤即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。是在纯净的硅晶体中掺入三价元素蚂庆(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。掺入的杂质越多,多子(空穴)...

  2024-07-16 网络 更多内容 814 ℃ 763
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  p型半导体中不能移动的杂质离子带负电

  p型半导体中不能移动的杂质离子带负电是错误的。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂...

  2024-07-16 网络 更多内容 898 ℃ 688
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  p型半导体中的多数载流子是电子

  形成P型半导体,N型半导体:在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体. 2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子 P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子 3:P型半导体中多数载流子为空...

  2024-07-16 网络 更多内容 890 ℃ 908
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  p型半导体中掺入的三价元素是什么

  p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ...

  2024-07-16 网络 更多内容 311 ℃ 707