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  pn6013用什么型号代换

  PINTOPIN。经查询相关资料显示,低待机功耗外围器件精简性能高PINTOPIN替代老旧型号的OB2500PN6013。PN6013集成超低待机功耗准谐振原边控制器及高雪崩能力智能功率MOSFET,用于高性能、外围元器件精简的充电器、适配器和内置电源。

  2024-08-25 网络 更多内容 149 ℃ 33
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  电源芯片73d36代换

  这个是常用的LED电源驱动芯片需要详细的参数可以私信我发给你

  2024-08-25 网络 更多内容 393 ℃ 42
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  三极管4n60f代换,参数及性能

  4n60f代换,参数4A 600V,这是场管,不是普通三极管,可以用5N60, 6N60, 8N60,11N60,等代换。电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于...

  2024-08-25 网络 更多内容 132 ℃ 937
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  三极管FQPF12N60参数及代换

  12N60C可以代换2N60的。2N60是功率场效应管参数是:硅、500V、2A、55W、RDS(on)≤5.1Ω、带阻尼;12N60C也是功率场效应管,参数:硅... 它是由pn结反偏的变化,产生耗尽层扩展变化控制的缘故。12N60是最大电流12A耐压600的场效应管,一般用作开关电源的开关管,而75N75是最...

  2024-08-25 网络 更多内容 754 ℃ 780
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  三极管4n60f代换,参数及性能

  4n60f代换,参数4A 600V,这是场管,不是普通三极管,可以用5N60, 6N60, 8N60,11N60,等代换。电源Ub经过电阻Rb加在发射结上,发射结正偏,发射区的多数载流子(自由电子)不断地越过发射结进入基区,形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散,但由于多数载流子浓度远低于...

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  7n60参数和管脚及代换?

  场效应管7N60可以用FCP7N60 FCPF7N60 SSP7N60 SMP7N60 SS7N60代换,7N60是 场效应管,其参数为N沟 600V 7A 83W,场效应MOS管7N60参数产品简介PD最大耗散功率:83WID最大漏源电流:7AV(BR)DSS漏源击穿电压:600VRDS(ON)Ω内阻:0.6ΩVRDS(ON)ld通态电流:3.5AVR...

  2024-08-25 网络 更多内容 620 ℃ 294
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  bp3126电源芯片引脚参数

  旁路引脚,用以将电流杂波旁路至地,一般在BP端和地端(S极)之间接一个0.1uF的电容;

  2024-08-25 网络 更多内容 556 ℃ 258
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  电源芯片pn6359的引脚功能,可用哪些来代换,谢谢?

  框图管脚描述管脚符号管脚描述1OB功率管基极,和启动电流控制端2CT振荡器C输入端3GND接地端4FB反馈输入端5VCC正电源端6OE功率管发射极,和启动电流输入端7OC功率管集电极8OC功率管集电极片内测试脚VR2.5V基准片内测试脚IS功率管电流原理描述上电后为启动阶段,...

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  ncp1396ag各脚功能及代换

  ncp1396ag各脚功能及代换:查16脚电压是否正常,如果R842开路,IC可基本判断为损坏,5脚电压低也可造成IC判断PFC电压低而停止激励输。PFC电压正常,5V待机电压正常,电源板STB脚有3V控制电压,但12V、16V、100V无电压,看来问题出在该电路上。进一步检查NCP1396AG电源电...

  2024-08-25 网络 更多内容 881 ℃ 431
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  用什么三极管可以代替华晶1n60

  1N60是个1A600V的N沟道场效应管,用2N60,4N60甚至6N60、8N60都可以,这类的场管很多。越大越不容易发热,使用寿命也就越长。

  2024-08-25 网络 更多内容 1000 ℃ 370