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  什么是MOSFET

  金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(fieldeffect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型...

  2024-08-15 网络 更多内容 586 ℃ 706
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  mosfet工作原理

  MOSFET 基本工作原理      通过改变栅源电压VGS来控制沟道的导电能力,从而控制漏极电流ID。因此它是一个电压控制型器件。转移特性反映了栅源电压对漏极电流的控制能力 。NMOS的特性,Vgs大于一定的值就会导通,适合用于源极接地时的情况(低端驱动),只要栅...

  2024-08-15 网络 更多内容 866 ℃ 651
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  什么是MOSFET

  金属氧化物半导体场效应晶体管,简称金氧半场效晶体管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(fieldeffect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作载流子)的极性不同,可分为“N型”与“P型” 的两种类型...

  2024-08-15 网络 更多内容 756 ℃ 368
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  mosfet是什么

  MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点,在 M1 关断,进入续流阶段时,开通 M...

  2024-08-15 网络 更多内容 136 ℃ 485
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  mosfet工作原理

  MOSFET是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管,其工作原理按导电沟道可分为P沟道和N沟道。按栅极电压幅值可分为;耗尽型;当栅极电压为零时漏源极之间就存在导电沟道,增强型;对于N(P)沟道器件,栅极电压大于(小于)零时才存在导电沟道,功率MOSFET主要是N沟道...

  2024-08-15 网络 更多内容 713 ℃ 344
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  MOSFET

  一、场效应管的分类 按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。 场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而M...

  2024-08-15 网络 更多内容 847 ℃ 493
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  mosfet全称

  MOSFET 全称是“金属氧化物半导体场效应管”(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) 为减少续流电流在寄生二极管上产生的损耗,在一些应用中使用 MOSFET 作为逆变元件。由于 MOFSET 具有导通阻抗低、电流可以双向流动的特点,在 M1 关断,进入续流阶段时,开通 M...

  2024-08-15 网络 更多内容 200 ℃ 558
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  MOSFET主要参数什么意思?

  Mosfet参数含义说明 Features: Vds: DS击穿电压.当Vgs=0V时,MOS的DS所能承受的最大电压 Rds(on):DS的导通电阻.当Vgs=10V时,MOS的DS之间的电阻 Id: 最大DS电流.会随温度的升高而降低 Vgs: 最大GS电压.一般为:20V+20V Idm: 最大脉冲DS电流.会随温度的升高而降低,体现一个...

  2024-08-15 网络 更多内容 717 ℃ 852
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  MOSFET是什么意思?

  请描述具体应用情况,纯电阻负载的mosfet一般不容易击穿,目前600v的功率mosfet也有普遍应用,如果是感性负载则需要仔细设计。

  2024-08-15 网络 更多内容 400 ℃ 908
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  MOSFET代表什么电子元件

  金属氧化层半导体场效晶体管,简称金氧半场效晶体管(MetalOxideSemiconductor FieldEffect Transistor, MOSFET)是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管(fieldeffect transistor)。MOSFET依照其“通道”的极性不同,可分为ntype与ptype的MOSFET,通常又称为NMOSFE...

  2024-08-15 网络 更多内容 900 ℃ 796