当前位置 > P型半导体的形成原理p型半导体的形成原理有哪些

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  P型半导体的形成原理

  要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧...

  2024-07-17 网络 更多内容 221 ℃ 477
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  P型半导体的形成原理?

  要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂;对于ⅢⅤ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度;在离子晶体型氧...

  2024-07-17 网络 更多内容 580 ℃ 874
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  p型半导体的导电原理是什么

  下面,我们将采用对比分析的方法来认识P型半导体和N型半导体。P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子...

  2024-07-17 网络 更多内容 609 ℃ 656
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  P型半导体和N型半导体如何形成的?

  一、N型半导体N型半导体也称为电子型半导体,即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。形成原理掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度... 即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度。二、P型半导体P型半导体一般指空穴型半导体,是以带正电的空穴导电为主的半导体。形...

  2024-07-17 网络 更多内容 419 ℃ 393
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  p型半导体的导电原理?

  p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某=一=类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则... 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空...

  2024-07-17 网络 更多内容 630 ℃ 961
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  p型半导体的导电原理

  p型半导体的导电原理:半导体中有两种载流子,导带中的电子和价带中的空穴,如果某=一=类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该类型... 故P型半导体呈电中性,空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成,掺入的杂质越多,电子或空穴的浓度就越高,导电性能就越强。

  2024-07-17 网络 更多内容 566 ℃ 387
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  p型半导体的导电原理

  p型半导体的导电原理如下: 半导体中有两种载流子:导带中的电子和价带中的空穴。 如果某一类型半导体的导电性主要依靠价带中的空穴,则该... 由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空...

  2024-07-17 网络 更多内容 435 ℃ 656
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  半导体基本原理

  多子:P型半导体中,多子为空穴。少子:P型半导体中,少子为电子。受主原子:杂质原子中的空位吸收电子,称受主原子。P型半导体的导电特性:掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能也就越强。结论:多子的浓度决定于杂质浓度。少子的浓度决定于温度。PN结的形成:将P型半导...

  2024-07-17 网络 更多内容 548 ℃ 211
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  半导体模块的原理

  半导体激光器人通常也叫半导体模块。 其工作原理是,通过一定的激励方式,在半导体物质的能带(导带与价带)之间,或者半导体物质的能带与杂... 等材料制成的半导体面结型二极管,沿正向偏压注入电流进行激励,在结平面区域产生受激发射.光泵式半导体激光器,一般用N型或P型半导体单晶...

  2024-07-17 网络 更多内容 773 ℃ 627
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  半导体的原理

  导电能力介于导体与绝缘体之间的物质。 其导电的原理就是在纯净的半导体中通过掺杂后,得到两种半导体,即N型与P型半导体。 由于掺杂,在两类半导体内产生了两种参与导电的元素即:自由电子和空穴。如果把两类掺杂半导体通过特殊工艺结合在一体,就会出现电子与空穴的扩散、漂...

  2024-07-17 网络 更多内容 624 ℃ 880