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  11n65场效应管参数?

  PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:35VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

  2024-08-17 网络 更多内容 432 ℃ 210
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  11n65场效应管参数?

  PD最大耗散功率:85WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:25VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:35VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

  2024-08-17 网络 更多内容 454 ℃ 32
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  10n65场效应管参数?

  PD最大耗散功率:90WID最大漏源电流:9AV(BR)DSS漏源击穿电压:650VRDS(ON)Ω内阻:0.48ΩVRDS(ON)ld通态电流:4.5AVRDS(ON)栅极电压:10VVGS(th)V开启电压:24VVGS(th)ld(μA)开启电流:250μA

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  15n65场效应管参数?

  15n65场效应舍PD最大耗散功率:260W,ID最大病源电流:16A,V(BR)DSS漏源击穿电压:650vRDS(ON):0.44Ω。

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  12n65kl场效应管参数

  12n65kl场效应管参数 正向电压(VF):1.1V 芯片尺寸:46MIL 浪涌电流Ifsm:30A 漏电流(Ir):5uA 工作温度:55 150℃ 恢复时间(Trr):500ns 2. 关于M7与M1、M2、M3、M4、M5、M6的不同,在于反向重复峰值电压的不同,M7可以代替M1、M2、M3、M4、M5、M6。当然也可以用二极管1N400...

  2024-08-17 网络 更多内容 288 ℃ 502
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  cs10n65f场效应管参数?

  具有输入电阻高(107～1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 1. 场效应管cs8n60用10n60型号管子代换。 2. 场效应管cs8n60参数:8n60,7.5A,600V,RDS=1.2欧。10n60参数...

  2024-08-17 网络 更多内容 183 ℃ 113
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  7n65f场效应管参数?

  7n65f场效应管参数阈值电压Vgs(th)4V@250µA,漏源击穿电压V(BR)dss650V,漏极电流(Id, 连续)7A,封装/外壳TO220F,栅源电压 Vgss±30V,漏源极电压(Vdss)650V,最大耗散功率46W,工作温度150°C(TJ)。

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  14n65场效应管参数?

  14n65场效应管参数:功率:125W,电流:12A,电压:650V,内阻:0.38Ω

  2024-08-17 网络 更多内容 922 ℃ 793
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  20n65场效应管参数及代换?

  20n65场效应管参数:电流20A,耐压650V,N沟道场效应管。可用25n65代换。

  2024-08-17 网络 更多内容 620 ℃ 766
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  ptp11n40场效应管参数?

  ptp11n40场效应管参数:耐压900V,电流11A ,TO 3P封装 N沟道 功率MOS管

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