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RT是什么电容
电解电容用于电压滤波,滤除整流输出电压中的纹波,是直流侧输出电压更加平滑,经电容滤波后的直流电压是交流电压的幅值,即24V的根号2倍,大概是三十几V。 电容器的基本作用就是充电与放电,但 由这种基本充放电作用所延伸出来的许多电路现象,使得电容器有着种种不同的用途,例如...
2024-08-16 网络 更多内容 482 ℃ 269 -
电容
2.2uF。静电容量由3位字母数字表示。单位皮法(pF)。第1位和第2位数字为有效数字,第3位数字表示有效数字后的0的个数。有小数点时以大写字母“R”表示。此时,所有数字均为有效数字。例如:R50,0.5pF1R0,1.0pF100,10pF103,10000pF电容225表示22后面0的个数是5个,即为2200...
2024-08-16 网络 更多内容 980 ℃ 907 -
电容
应该不会坏吧!进水会放=了=电容里面的电!你的不转可能是缺了油了!
2024-08-16 网络 更多内容 415 ℃ 224 -
电力电容
电容电流产生的是无功功率,能量只是在电源——电容中交换,本身并不消耗电能。如果用它产生的容性电流用来提供功率因数补偿,补偿得当还能减小线路对电能传输过程中的损耗。
2024-08-16 网络 更多内容 123 ℃ 668 -
电容传感器
电容式传感器是将被测量的变化转换为电容量变化的一种装置,它本身就是一种可变电容器。由于这种传感器具有结构简单,体积小,动态响应好,灵敏度高,分辨率高,能实现非接触测量等特点,因而被广泛应用于位移、加速度、振动、压力、压差、液位、等分含量等检测领域。
2024-08-16 网络 更多内容 117 ℃ 493 -
IGBT和GRT区别
GTR是大功率晶体管或晶体管模块,它的特性与一般晶体管相同.IGBT是mos管与大功率晶体管的复合管或模块.它的输入特性类似mos管而输出特性类似晶体管. 区别在于GTR是电流驱动型,而IGBT则是电压驱动型.
2024-08-16 网络 更多内容 719 ℃ 56 -
高频电容
目前制造的工艺情况下,在集成电路中很难将大容量电容集成进去,只能集成电容量较小的电容。目前使用较多就是MOS等效电容。材料是高纯度硅、磷、铝、二氧化硅等,使用的工艺有:扩散、外延生长。在半导体中掺金就可以减少在流体寿命,提高复合的几率,金能够提供多个复合中心,...
2024-08-16 网络 更多内容 480 ℃ 517 -
电力电容
看公式:C=εS∕4πkd。电容使用时间长了电容介质ε和介质系数d会改变从而电容性能会降低,这好正常,特别是一些质量比较差的国产电容,一般几年都会坏,遇上经常超负荷容量降得更快.功率因数降到0.7肯定要更换部分或者全部电容了,因为供电局对功率因数要求一般0.9几的(各地方...
2024-08-16 网络 更多内容 684 ℃ 56 -
电容 什么意思
电容(Capacitance)亦称作“电容量”,是指在给定电位差下的电荷储藏量,记为C,国际单位是法拉(F)。
2024-08-16 网络 更多内容 565 ℃ 837 -
电阻电容
电容的主要物理特征是储存电荷。由于电荷的储存意味着能的储存,因此也可说电容器是一个储能元件,确切的说是储存电能。两个平行的金属板即构成一个电容器。电容也有多种多样,它包括固定电容,可变电容,电解电容,瓷片电容,云母电容,涤纶电容,钽电容等,其中钽电容特别稳定。电容...
2024-08-16 网络 更多内容 707 ℃ 932