当前位置 > c1569晶体管参数c1569晶体管参数含义

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  a1939晶体管参数?

  型号:2SA1939类型:PNP三极管集电极耗散功率(PC):60 W集电极电流(IC):6 A集电极与基极最高耐压(VCBO):80 V备注:与2SC5196构成对管封装:TOP3A

  2024-08-17 网络 更多内容 407 ℃ 529
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  c945三极管参数

  扩展资料:理论原理 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每一种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。在电压刺激下产生自由电子导...

  2024-08-17 网络 更多内容 351 ℃ 810
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  c3969晶体管特性及参数

  c3969;2SC3969也!;高压开关管;NPN;400V;2A;20W;如图: 向左转|向右转

  2024-08-17 网络 更多内容 678 ℃ 830
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  c3866晶体管的参数?

  c3866主要参数:电流3A;耐压800V;NPN;硅管;功率管

  2024-08-17 网络 更多内容 507 ℃ 124
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  c945三极管参数

  扩展资料:理论原理 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每=一=种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。在电压刺激下产生自由电子...

  2024-08-17 网络 更多内容 143 ℃ 810
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  c945三极管参数

  扩展资料:理论原理 晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每=一=种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。在电压刺激下产生自由电子...

  2024-08-17 网络 更多内容 852 ℃ 18
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  c945三极管参数

  扩展资料:理论原理晶体三极管(以下简称三极管)按材料分有两种:锗管和硅管。而每=一=种又有NPN和PNP两种结构形式,但使用最多的是硅NPN和锗PNP两种三极管,(其中,N是负极的意思(代表英文中Negative),N型半导体在高纯度硅中加入磷取代一些硅原子。在电压刺激下产生自由电子...

  2024-08-17 网络 更多内容 323 ℃ 224
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  晶体管参数

  是什么上用的,我可以帮你提供最佳的代换元件号,看型号只能知道是pnp的

  2024-08-17 网络 更多内容 208 ℃ 926
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  几种晶体管的参数(c9013 c9014 c9018)?

  型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) C9013 SINPN 0.625 500 40 主要用于低频放大与电子开关 CS9014 NPN, 0.625W,0.1A,Vcb0==50v,Vce0=45v,VB0=5V,ICB0=50NA.HFE=601000,FT=270MHZ 9015 硅PNP管 用途:低频放大。VCBO=50V VCEO=45V VEBO=5V ICM=100毫...

  2024-08-17 网络 更多内容 828 ℃ 49
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  几种晶体管的参数(c9013 c9014 c9018)

  型号 材料与极性 Pcm(W) Icm(mA) BVcbo(V) C9013 SINPN 0.625 500 40 主要用于低频放大与电子开关 CS9014NPN,0.625W,0.1A,Vcb0==50v,Vce0=45v,VB0=5V,ICB0=50NA.HFE=601000,FT=270MHZ 9015 硅PNP管 用途:低频放大。VCBO=50V VCEO=45V VEBO=5V ICM=100...

  2024-08-17 网络 更多内容 423 ℃ 484